Journals →  Материалы электронной техники →  2012 →  #4 →  Back

ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СЛОИИ МНОГОСЛОЙНЫЕ КОМПОЗИЦИИ
ArticleName Влияние германия, имплантированного в структуру «диоксид кремния на кремнии», на процессы накопления заряда при воздействии низкоэнергетического стационарного ионизирующего излучения
ArticleAuthor О. П. Гуськова, В. М. Воротынцев, Е. Л. Шоболов, Н. Д. Абросимова
ArticleAuthorData

ФГУП «Федеральный научно–производственный центр Научно–исследовательский институт измерительных систем им. Ю. Е. Седакова»:

О. П. Гуськова

Е. Л. Шоболов

Н. Д. Абросимова

 

Нижегородский государственный технический университет им. Р. Е. Алексеева:

В. М. Воротынцев

Abstract

Представлены результаты исследования влияния имплантации германия в пирогенный оксид на процессы накопления заряда при воздействии ионизирующего излучения. Проведен теоретический анализ процессов встраивания германия в систему «диоксид кремния на кремнии». Показано, что германию энергетически выгодно встраиваться в насыщенный кремнием нестехио-метрический оксид (на границе «кремний — диоксид кремния») и формировать нанокластеры в объеме SiO2.

keywords Радиационная стойкость, диэлектрические слои, имплантация примесных атомов
References

1. Никифоров, А. Ю. Радиационные эффекты в КМОП ИС / А. Ю. Никифоров, В. А. Телец, А. И. Чумаков − М. : Радио и связь, 1994. − 165 с.
2. Barnaby, H. J. Total−ionizing−dose effects in modern CMOS technologies / H. J. Barnaby // IEEE Transactions on Nuclear Sci. − 2006. − V. 53, N 6. − P. 3103—3121.
3. Николаев, Д. В. Накопление заряда в диэлектрике и состояния на границах структур кремний−на−изоляторе при облучении электронами и gamma−квантами / Д. В. Николаев, И. В. Антонова, О. В. Наумова, В. П. Попов, С. А. Смагулова // Физика и техника полупроводников. − 2003. − Т. 37, вып. 4. − С. 443—449.
4. Пат. США 5.795.813.
5. Гуртов, В. А. Твердотельная электроника / В. А. Гуртов − Петрозаводск : Петр. ГУ, 2004. − 312 с.
6. Frisch M. J. Gaussian 03. Revision C.01 / Frisch M. J., Trucks G. W., Schlegel H. B. et al. − Wallingford (CT) : Gaussian Inc., 2004.
7. Lee, C. Development of the Colle−Salvetti correlation−energy formula into a functional of the electron density / C. Lee, W. Yang, R. G. Parr // Phys. Rev. B. − 1988. − V. 37, Iss. 2. − P. 785—789.
8. Benson, S. W. / S. W. Benson // J. Chem. Educ. − 1965. − V. 42. − P. 502.
9. Baroni, S. / S. Baroni, A. D. Corso, S. D. Gironcoli // Quantum ESPRESSO, ver. 4.0.4.
10. Markwitz, A. Homogeneously size distributed Ge nanoclusters embedded in SiO2 layers produced by ion beam synthesis / A. Markwitz, L. Rebohle, H. Hofmeister, W. Skorupa // Nucl. Instrum. and Meth. in Phys. Res. B. − 1999. − V. 147. − P. 361—366.
11. Nazarov, A. Trapping of negative and positive charges in Ge+ ion implanted silicon dioxide layers subjected to high−field electron injection / A. Nazarov, T. Gebel, L. Rebohle // J. Appl. Phys. − 2003. − V. 94. − P. 4440—4448.

Language of full-text russian
Full content Buy
Back