Journals →  Материалы электронной техники →  2011 →  #1 →  Back

МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ И ТЕХНОЛОГИЯ. ПОЛУПРОВОДНИКИ
ArticleName Диффузионное легирование кремния редкоземельными элементами
ArticleAuthor Н. В. Латухина, В. М. Лебедев
ArticleAuthorData Н. В. Латухина, Самарский государственный университет; В. М. Лебедев, Петербургский институт ядерной физики им. Б. П. Константинова РАН.
Abstract
Рассмотрены свойства кремния, диффузионно-легированного редкоземельными элементами (РЗЭ) Dy, Lu, Sm, Gd, Yb, Y, Sc, Ho и Er. Диффузия проведена из оксидной пленки РЗЭ на поверхности пластины кремния. Методами спектроскопии резерфордовского обратного рассеяния и ядерных реакций с дейтронами исследованы концентрационные профили РЗЭ в поверхностных слоях кремния. По результатам измерений вольт-емкостных характеристик, поверхностного сопротивления и подвижности носителей заряда при последовательном стравливании слоев определены концентрационные профили дырок в легированных слоях кремния. Показано, что для всех исследованных элементов концентрация РЗЭ в поверхностных слоях кремния значительно превышает концентрацию ионизованных акцепторов.
Работа выполнена при финансовой поддержке программы ФЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» на 2009—2013 годы (Контракт П893).
keywords Кремний, диффузия, легирование, редкоземельные элементы.
References

1. Сoболев, Н. А. Светоизлучающие структуры Si:Er. Технология и физические свойства. / Н. А. Сoболев // ФТП. - 1995. - Т. 29, вып. 7. - С. 1153—1175.
2. Александров, О. В. Электрофизические свойства слоев кремния, имплантированных ионами эрбия и кислорода в широком диапазоне доз и термообработанных в различных температурных режимах / О. В. Александров, А. О. Захарьин, Н. А. Соболев // ФТП. - 2002. - Т. 36, вып. 3. - С. 379—382.
3. Александров, О. В. Мелкие акцепторные центры, образующиеся при диффузии эрбия в кремний / О. В. Александров, В. В. Емцев, Д. С. Полоскин, Н. А. Соболев, Е. И. Шек // ФТП. - 1994. - Т. 28, вып. 11. - С. 2045—2048.

4. Зайнабидинов, С. Диффузия эрбия в кремний / С. Зайнабидинов, Д. Э. Назиров, А. Ж. Акбаров, А. А. Иминов, Т. М. Тоштемиров // Письма в ЖТФ. - 1998. - Т. 24, № 2. - С. 68—71.
5. Мастеров, В. Ф. Примесные атомы эрбия в кремнии / В. Ф. Мастеров, Ф. С. Насрединов, П. П. Серегин, Е. И. Теруков, М. М. Мездрогина. // ФТП. - 1998. - Т. 32, вып. 6. - С. 708—711.
6. Gavrilov, G., Krivchitch, A., Lebedev, V. Application of nuclear reaction. Analysis for aging investigations of detectors // Nucl. Instr.Meth. A. - 2003. - V. 515. - P. 108—117.
7. Гамарц, А. Е. Определение профиля диффузии кислорода в поликристаллических слоях селенида свинца методами ядерного микроанализа / А. Е. Гамарц, В. М. Лебедев, В. А. Мошников, Д. Б. Чеснокова // ФТП. - 2004. - Т. 38, вып. 10. - С. 1195—1198.
8. Лебедев, В. М. Аналитический комплекс для исследования материалов методами ядерного микроанализа / В. М. Лебедев, Ю. Г. Лукьянов, В. А. Смолин // Тр. ХІІІ Междунар. конф. по электростатическим ускорителям. - Обнинск (Россия), 2001. - С. 60—66.
9. Латухина, Н. В. Распределение компонентов в структурах кремний - оксид кремния и кремний - оксид редкоземельного элемента / Н. В. Латухина, В. М. Лебедев // Письма в ЖТФ. - 2005. - Т. 31, вып. 13. - С. 58—64.
10. Журавель, Л. В. Влияние легирования редкоземельными элементами на структуру поверхностного слоя кремния / Л. В. Журавель, Н. В. Латухина, Е. Ю. Блытушкина // Изв. вузов. Материалы электрон. техники. - 2004. - № 3. - С. 72—74.
11. Латухина, Н. В. Роль микродеформаций при порообразовании в кремнии, легированном редкоземельными элементами / Н. В. Латухина, А. В. Волков, Л. В. Журавель, В. М. Лебедев // Тр. третьей Междунар. научно-техн. конф. «Металлофизика, механика материалов, наноструктур и процессов деформирования «Металлдеформ-2009». - Самара, 2009. - Т. 1. - С. 30—34.
12. Латухина, Н. В. Легирование кремния эрбием методом диффузии / Н. В. Латухина, В. М. Лебедев, Л. В. Журавель Ю. И. Вишнякова, Е. И. Зиновьев // Изв. вузов. Материалы электрон. техники. - 2009. - № 2. - С. 13—17.

Language of full-text russian
Full content Buy
Back