Journals →  Материалы электронной техники →  2011 →  #1 →  Back

ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА И МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЙ
ArticleName Диагностика арсенида галлия методом фотоотражения
ArticleAuthor О. С. Комков, А. Н. Пихтин, Ю. В. Жиляев
ArticleAuthorData О. С. Комков, А. Н. Пихтин, Санкт−Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ»; Ю. В. Жиляев, Физико−технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН.
Abstract
Реализован бесконтактный, неразрушающий метод диагностики объемных кристаллов и эпитаксиальных слоев GaAs с различным уровнем легирования. Метод основан на измерении и обработке спектров фотомодуляционного оптического отражения — фотоотражения. Определена напряженность приповерхностного электрического поля и соответствующая ей концентрация свободных носителей заряда. Получено хорошее соответствие экспериментальных данных с результатами независимых измерений, проведенных методом Холла.
Работа выполнена при частичной финансовой поддержке Федерального агентства по науке и инновациям (госконтракт 02.740.11.0213 от 07.07.2009 г.) в рамках ФЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» на 2009—2013 годы.
keywords Физика полупроводников, арсенид галлия, оптические методы исследования, модуляционная спектроскопия, фотоотражение.
References
1. Peters, L. Noncontact doping level determination in GaAs using photoreflectance spectroscopy / L. Peters, L. Phaneuf, L. W. Kapitan, W. M. Theis // J. Appl. Phys. − 1987. − V. 62, N 11. − P. 4558—4562.
2. Sydor, M. Photoreflectance measurements of unintentional impurity concentrations in undoped GaAs / M. Sydor, J. Angelo, W. Mitchel, T. W. Haas, M.−Y. Yen // Ibid. − 1989. −V. 66, N 1. − P. 156—160.
3. Пихтин, А. Н. Фотоотражение арсенида галлия / А. Н. Пих тин, М. Т. Тодоров // Физика и техника полупроводников. − 1993. − Т. 27, вып. 7. − С. 1139—1145.
4. Brierley, S. K. Correlation between the photoreflectance impurity peak in semi−insulating GaAs and the bulk acceptor concentration / S. K. Brierley, D. S. Lehr // J. Appl. Phys. − 1990. − V. 67, N 8. − P. 3878—3880.
5. Пихтин, А. Н. Фотоотражение полуизолирующего GaAs при ћ ω ≤ Еg / А. Н. Пихтин, М. Т. Тодоров // Физика и техника полупроводников. − 1994. − Т. 28, вып. 6. − С. 1068—1075.
6. Комков, О. С. Определение концентрации свободных носителей заряда в сверхчистых эпитаксиальных слоях арсенида галлия методом фотоотражения / О. С. Комков, А. Н. Пихтин, Л. М. Федоров, Ю. В. Жиляев // Письма в журнал технической физики. − 2008. − Т. 34, вып. 1. − С. 81—87.
7. Komkov, O. S. Excitonic effects and Franz—Keldysh oscillations in photoreflectance of ultrapure GaAs epilayers / O. S. Komkov, G. F. Glinskii, A. N. Pikhtin, Y. K. Ramgolam // Phys. status solidi A. − 2009. − V. 206, N 5. − P. 842—846.
8. Жиляев, Ю. В. // Дисс. … д−ра физ.−мат. наук. ФТИ им. А. Ф. Иоффе АН СССР / Ю. В. Жиляев − Л., 1991.
9. Yin, X. Photoreflectance study of surface photovoltage effects at (100)GaAs surface/interfaces / X. Yin, H.−M. Chen, F. H. Pollak, Y. Chan, P. A. Montano, P. D. Kirchner, G. D. Pettit, J. M. Woodall // Appl. Phys. Lett. − 1991. − V. 58, N 3. − P. 260—262.
10. Авакянц, Л. П. // Дисс. … д−ра физ.−мат. наук. МГУ им. Ломоносова / Л. П. Авакянц − М., 2010.
Language of full-text russian
Full content Buy
Back