Установлено, что спектральный состав поглощенного света влияет на величину и температурную зависимость фотопроводимости слоистой пленки a-Si : H. Это влияние связано с разной генерацией носителей тока: межзонной или смешанной, включающей также и генерацию электронов с уровней хвоста валентной зоны. При смене типа генерации изменяется темп рекомбинации электронов вследствие изменения заполнения электронами рекомбинационных уровней — оборванных связей кремния и хвоста валентной зоны. Получено, что в исследованных слоистых пленках с малой врожденной концентрацией оборванных связей при смешанной генерации носителей рекомбинация электронов на уровнях хвоста валентной зоны может преобладать, вплоть до комнатных температур. Это может приводить к увеличению фотопроводимости в области комнатных температур.

1. Курова, И. А. Электрические и фотоэлектрические свойства слоистых пленок a-Si : H и влияние на них термического отжига / И. А. Курова, Н. Н. Ормонт, Е. И. Теруков, И. Н. Трапезникова, В. П. Афанасьев, А. С. Гудовских // ФТП. - 2001. - Т. 35, № 3. - С. 367—370.
2. Курова, И. А. Особенности фотоэлектрических свойств слоистых пленок аморфного гидрированного кремния / И. А. Курова, Н. Н. Ормонт // ФТП. - 2010. - Т 44, № 12. - С. 1624—1628.
3. Tran, M. Q. On thermal quenching of photoconductivity in hydrogenated amorphous silicon. / M. Q. Tran // Phil. Mag. B. - 1995. - V. 72, N 1. - P. 35—66.

4. Merazga, A. Numerical simulation of the steady state photoconductivity in hydrogenated amorphous silicon including localized state electron hopping / A. Merazga, S. Tobbeche, C. Main, A. al-Shahrani, S. Reynolds // J. Phys.: Condens. Matter. - 2006. - V. 18. - P. 3721—3734.
5. Афанасьев, В. П. Структурные особенности и свойства пленок a-Si : H, полученных методом циклического осаждения / В. П. Афанасьев, Ф. С. Гудовских, О. И. Коньков, М. М. Казанин, К. В. Коугия, А. А. Сазонов, И. Н. Трапезникова, Е. И. Теруков // ФТП. - 2000. - Т. 34, № 4. - С. 492—495.