Материалы электронной техники
| МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ И ТЕХНОЛОГИЯ. ПОЛУПРОВОДНИКИ | |
| Название | Изотопные эффекты в спектрах ИК−поглощения электрически активных примесей в кремнии–28, 29 и 30 с высоким изотопным обогащением |
| Авторы | Т. В. Котерева, А. В. Гусев, В. А. Гавва, Е. А. Козырев |
| Информация об авторах | Институт химии высокочистых веществ им. Г. Г. Девятых РАН: Т. В. Котерева А. В. Гусев В. А. Гавва Е. А. Козырев |
| Название | Расслоение твердого раствора GeSi на подложках GaAs и Si |
| Авторы | Е. Ф. Венгер, Л. А. Матвеева, П. Л. Нелюба |
| Информация об авторах | Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины: Е. Ф. Венгер Л. А. Матвеева П. Л. Нелюба |
| Название | Особенности процессов формирования микровключений в кристаллах мультикремния, выращенных из металлургического рафинированного кремния методом Бриджмена—Стокбаргера |
| Авторы | С. М. Пещерова, Л. А. Павлова, А. И. Непомнящих, И. А. Елисеев, Ю. В. Сокольникова |
| Информация об авторах | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт геохимии им. А. П. Виноградова Сибирского отделения Российской академии наук: С. М. Пещерова Л. А. Павлова А. И. Непомнящих И. А. Елисеев Ю. В. Сокольникова |
| Название | Информация о премии имени М. Г. Мильвидского |
| Название | Моделирование процессов ионной имплантации и быстрых термообработок при формировании активных областей субмикронных и нанометровых интегральных схем на кремнии |
| Авторы | Ф. Ф. Комаров, А. Ф.Комаров, А. М. Миронов, Г. М. Заяц, Ю. В. Макаревич, С. А. Мискевич |
| Информация об авторах | НИИПФП им. А. Н. Севченко БГУ, Беларусь: Ф. Ф. Комаров А. Ф.Комаров А. М. Миронов Ю. В. Макаревич С. А. Мискевич
Институт математики НАН Беларуси: Г. М. Заяц |
| Название | Напряжение и адгезия поликристаллических пленок 3C–SiC, выращенных методом осаждения из газовой фазы на кремниевых подложках |
| Авторы | Т. М. Ткачева, Л. М. Иванова, К. Д. Демаков, М. Н. Шахов |
| Информация об авторах | МАДИ: Т. М. Ткачева М. Н. Шахов
НИЦ «Курчатовский институт»: Л. М. Иванова К. Д. Демаков |
| ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СЛОИИ МНОГОСЛОЙНЫЕ КОМПОЗИЦИИ | |
| Название | Влияние германия, имплантированного в структуру «диоксид кремния на кремнии», на процессы накопления заряда при воздействии низкоэнергетического стационарного ионизирующего излучения |
| Авторы | О. П. Гуськова, В. М. Воротынцев, Е. Л. Шоболов, Н. Д. Абросимова |
| Информация об авторах | ФГУП «Федеральный научно–производственный центр Научно–исследовательский институт измерительных систем им. Ю. Е. Седакова»: О. П. Гуськова Е. Л. Шоболов Н. Д. Абросимова
Нижегородский государственный технический университет им. Р. Е. Алексеева: В. М. Воротынцев |
| Название | Исследование однородности поверхностного сопротивления металлических пленок Ti, Al, Ni, Cr и Au на кремнии |
| Авторы | К. Д. Ванюхин, С. П. Кобелева, Ю. А. Концевой, В. А. Курмачев, Л. А. Сейдман |
| Информация об авторах | ИФЯЭ НИЯУ МИФИ: К. Д. Ванюхин Л. А. Сейдман
ФГАОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»: С. П. Кобелева
ФГУП «НПП «Пульсар»: Ю. А. Концевой В. А. Курмачев |
| Название | Изучение электрофизических свойств диодов Шотки, изготовленных на основе кремния с различными металлическими слоями |
| Автор | И. Г. Пашаев |
| Информация об авторе | Бакинский государственный университет, Азербайджанская Республика: И. Г. Пашаев |
| Название | Водородно−индуцированное скалывание пластин кремния с помощью электрохимического травления |
| Авторы | К. Б. Тыныштыкбаев, Ю. А. Рябикин, С. Ж. Токмолдин, Б. А. Рахметов, Т. Айтмукан |
| Информация об авторах | Физико−технический институт МОН РК, Казахстан: К. Б. Тыныштыкбаев Ю. А. Рябикин С. Ж. Токмолдин Б. А. Рахметов Т. Айтмукан |
| НАНОМАТЕРИАЛЫ И НАНОТЕХНОЛОГИИ | |
| Название | Наноразмерный кремний, изготовленный с использованием электролита HCl :HF : C2H5OH |
| Авторы | Ю. Н. Пархоменко, А. И. Белогорохов, А. П. Блиев, В. Г. Созанов |
| Информация об авторах | ОАО «Гиредмет»: Ю. Н. Пархоменко А. И. Белогорохов
ГОУ ВПО «СОГУ им. К. Л. Хетагурова: А. П. Блиев В. Г. Созанов |
| Название | Особенности формирования пористых структур на основе диоксида кремния и оксидов металлов золь−гель−методами |
| Авторы | В. С. Левицкий, А. С. Леньшин, А. И. Максимов, Е. В. Мараева, В. А. Мошников |
| Информация об авторах | Санкт−Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В.И. Ульянова (Ленина): В. С. Левицкий А. И. Максимов Е. В. Мараева В. А. Мошников
Воронежский государственный университет: А. С. Леньшин |
| Название | Дифракционные исследования формирования нанокристаллов кремния в структурах SiOx/Si с ионной имплантацией углерода |
| Авторы | В. А. Терехов, Д. И. Тетельбаум, И. Е. Занин, К. Н. Панков, Д. Е. Спирин, А. Н. Михайлов, А. И. Белов, А. В. Ершов |
| Информация об авторах | Воронежский государственный университет: В. А. Терехов И. Е. Занин К. Н. Панков Д. Е. Спирин
Научно−исследовательский физико−технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского: Д. И. Тетельбаум А. И. Белов А. Н. Михайлов
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского: А. В. Ершов |
| Название | Планарные волноводы градиентного типа на основе наноразмерных слоев кварцевого стекла, полученные в микроволновой плазме пониженного давления |
| Авторы | И. П. Шилов, Л. Ю. Кочмарев, Н. Т. Ключник, М. Я. Яковлев |
| Информация об авторах | Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, Фрязинское отделение: И. П. Шилов Л. Ю. Кочмарев
ЗАО ЦНИТИ «Техномаш−ВОС»: Н. Т. Ключник М. Я. Яковлев |
| Название | Особенности пористого кремния полученного химическим травлением |
| Автор | Т. Ю. Белик |
| Информация об авторе | Национальный технический университет Украины «Киевский политехнический институт», Украина: Т. Ю. Белик |
