Журналы →
Материалы электронной техники →
2010 →
№2
Журналы →
Материалы электронной техники →
2010 →
№2
Материалы электронной техники
| Название | Некоторые тенденции развития и совершенствования КМОП–технологии нанометрового топологического диапазона |
| Авторы | О. М. Орлов, В. Н. Мурашев |
| Информация об авторах | О. М. Орлов, кандидат техн. наук, начальник лаборатории, ОАО “НИИ молекулярной электроники и завод „Микрон“, 124460, Зеленоград, К-460, 1-й Западный проезд, д. 12, стр.1, e-mail: ovksh@yandex.ru, В. Н. Мурашев, доктор техн. наук, профессор, ФГОУ ВПО “Национальный исследовательский технологический университет “МИСиС”, 119049, г. Москва, Ленинский просп., д. 4, e-mail: vnmurashev@mail.ru |
| МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ И ТЕХНОЛОГИЯ. ПОЛУПРОВОДНИКИ | |
| Название | Пироэлектрический отклик и нестационарный фототок короткого замыкания в пленках сегнетоэлектрика–полупроводника Sn2P2S6 |
| Авторы | А. А. Богомолов, А. В. Солнышкин, Д. А. Киселев, И. П. Раевский, Д. Н. Санджиев, В. Ю. Шонов |
| Информация об авторах | А. А. Богомолов, профессор, e-mail: p000717@ tversu.ru, А. В. Солнышкин, доцент, Д. А. Киселев, аспирант, (Тверской государственный университет, кафедра физики сегнетоэлектриков и пьезоэлектриков, 170002, г. Тверь, Садовый пер., д. 35); И. П. Раевский, профессор, зав. отдела физики полупроводников, Д. Н. Санджиев, кандидат физ.-мат. наук, научный сотрудник отдела физики полупроводников, В. Ю. Шонов, кандидат физ.-мат. наук, научный сотрудник отдела физики полупроводников, (НИИ физики Южного федерального университета, 344090, г. Ростов-на-Дону, просп. Стачки, д. 194). |
| Название | Современное состояние производства CdTe, ZnTe и Cd1-хZnхTe |
| Авторы | Н. А. Кульчицкий, А. В. Наумов |
| Информация об авторах | Н. А. Кульчицкий, доктор техн. наук, ведущий научный сотрудник, Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова, химический факультет, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 3, e-mail: n.kulchitsky@gmail.com; А. В. Наумов, начальник производства, ООО КВАР, 123458, Москва, ул. Таллинскя, д. 24, оф. 108, e-mail: kvar@comail.ru |
| Название | Универсальная технология выращивания кристаллов широкозонных II—VI-соединений |
| Авторы | Н. Н. Колесников, А. В. Тимонина |
| Информация об авторах | Н. Н. Колесников, кандидат техн. наук, заведующий лабораторией, e-mail: nkolesn@issp.ac.ru, А. В. Тимонина, младший научный сотрудник, e-mail: avtim@issp.ac.ru, (Институт физики твердого тела РАН, 142432, Московская обл., Черноголовка, ул. Институтская, д. 2). |
| МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ И ТЕХНОЛОГИЯ. ДИЭЛЕКТРИКИ | |
| Название | Исследование микровключений в профилированных кристаллах сапфира |
| Авторы | А. В. Бородин, В. А. Бородин, В. Е. Искоростинская, Т. А. Стериополо, И. И. Ходос, А. Н. Некрасов |
| Информация об авторах | А. В. Бородин, кандидат физ.-мат. наук, e-mail: borodin@ezan.ac.ru, В. А. Бородин, член-корреспондент РАН, e-mail: bor@ezan.ac.ru, В. Е. Искоростинская, аспирант, e-mail: kamynina@ezan.ac.ru, Т. А. Стериополо, (ФГУП “Экспериментальный завод научного приборостроения РАН” (ФГУП ЭЗАН), 142432, Московская обл., г. Черноголовка, ул. ак. Семенова, д. 9); И. И. Ходос, доктор физ.-мат. наук, Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, 142432, Московская обл., Черноголовка, ул. Институтская, д. 6, e-mail: chodos@iptm.ac.ru; А. Н. Некрасов, Институт экспериментальной минералогии (ИЭМ РАН), 142432, Московская обл., г. Черноголовка, ул. Институтская, д. 4, e-mail: alex@iem.ac.ru |
| МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ И ТЕХНОЛОГИЯ. МАГНИТНЫЕ МАТЕРИАЛЫ | |
| Название | Влияние отклонения от стехиометрии на фазовый состав и свойства Y—Al–феррограната |
| Авторы | Ю. Н. Афанасьев, <span class="line">И. С. Рыбачук</span>, И. И. Канева, Д. Г. Крутогин, А. А. Механикова |
| Информация об авторах | Ю. Н. Афанасьев, кандидат техн. наук, старший научный сотрудник, ОАО ГСКБ “Алмаз-Антей”, 125170, г. Москва, Ленинградский просп., д. 80; И. С. Рыбачук, кандидат техн.наук, старший преподаватель, И. И. Канева, кандидат техн. наук, доцент, кафедра технологии материалов электроники, Д. Г. Крутогин, кандидат техн. наук, профессор, кафедра технологии материалов электроники, А. А. Механикова, студент, (ФГОУ ВПО “Национальный исследовательский технологический университет “МИСиС”, 119049, г. Москва, Ленинский просп., д. 4). |
| Название | Ферритовые материалы для повышенных рабочих температур |
| Авторы | Т. В. Акимова, Д. Г. Крутогин, Ю. М. Краюшкина, А. Д. Роговой |
| Информация об авторах | Т. В. Акимова, инженер, кафедра технологии материалов электроники, Д. Г. Крутогин, кандидат техн. наук, профессор, кафедра технологии материалов электроники, Ю. М. Краюшкина, студент, А. Д. Роговой, инженер, (ФГОУ ВПО “Национальный исследовательский технологический университет “МИСиС”, 119049, г. Москва, Ленинский просп., д. 4). |
| Название | Исследование влияния длительности измельчения порошков гексаферрита стронция на микроструктуру и свойства магнитов на их основе |
| Авторы | В. Г. Андреев, И. И. Канева, С. В. Подгорная, А. Н. Тихонов |
| Информация об авторах | В. Г. Андреев, доктор техн. наук, профессор, зав. кафедрой естественнонаучных и технических дисциплин, Кузнецкий институт информатики и управленческих технологий (филиал Пензенского государственного университета), 442500, г. Кузнецк, ул. Маяковского, д. 57а.; И. И. Канева, кандидат техн. наук, доцент, кафедра технологии материалов электроники, С. В. Подгорная, кандидат техн. наук, доцент, кафедра технологии матeриалов электроники, А. Н. Тихонов, студент, (ФГОУ ВПО “Национальный исследовательский технологический университет “МИСиС”, 119049, г. Москва, Ленинский просп., д. 4). |
| Название | Влияние добавок оксидов металлов на температурную зависимость магнитных потерь в Mn—Zn-ферритах |
| Автор | А. В. Копаев |
| Информация об авторе | А. В. Копаев, кандидат техн. наук, доцент, кафедра материаловедения и новейших технологий, Прикарпатский национальный университет, 76010, Украина, г. Ивано-Франковск, e-mail: iskander.vened@rambler.ru |
| ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СЛОИ И МНОГОСЛОЙНЫЕ КОМПОЗИЦИИ | |
| Название | Исследование спектральных и фотоэлектрических параметров высоковольтных многопереходных солнечных батарей |
| Авторы | А. С. Корольченко, С. А. Леготин, С. И. Диденко, С. П. Кобелева, М. Н. Орлова, В. Н. Мурашев |
| Информация об авторах | А. С. Корольченко, аспирант, инженер, e-mail: akorolchenko@mail.ru, С. А. Леготин, аспирант, инженер, e-mail: legotin@hotbox.ru, С. И. Диденко, кандидат физ.-мат. наук, доцент, e-mail: sdi13@mail.ru, С. П. Кобелева, кандидат физ.-мат.наук, cтарший научный сотрудник, e-mail: kob@misis.ru, М. Н. Орлова, кандидат техн. наук, доцент, e-mail: xomnx@mail.ru, В. Н. Мурашев, доктор техн. наук, профессор, e-mail: vnmurashev@mail.ru, (ФГОУ ВПО “Национальный исследовательский технологический университет “МИСиС”, 119049, г. Москва, Ленинский просп., д. 4). |
| Название | Влияние режимов эксплуатации светодиодов на процесс дефектообразования в области p—n–перехода и снижение квантового выхода |
| Автор | Ф. И. Маняхин |
| Информация об авторе | Ф. И. Маняхин, доктор физ.-мат. наук, профессор, зав. кафедрой электротехники и микропроцессорной электроники, ФГОУ ВПО “Национальный исследовательский технологический Университет “МИСиС”, 119049, г. Москва, Ленинский просп., д. 4. |
| ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА И МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЙ | |
| Название | Структурные и электрические свойства подложек AlN, используемых для выращивания светодиодных гетероструктур |
| Авторы | А. Я. Поляков, Н. Б. Смирнов, А. В. Говорков, И. А. Белогорохов, К. Д. Щербачев, В. Т. Бублик, О. А. Авдеев, Т. Ю. Чемекова, Е. Н. Мохов, С. С. Нагалюк, Х. Хелава, Ю. Н. Макаров |
| Информация об авторах | А. Я. Поляков, ведущий научный сотрудник, e-mail: aypolyakov@gmail.com, Н. Б. Смирнов, А. В. Говорков, старший научный сотрудник, И. А. Белогорохов, cтарший научный сотрудник, (ОАО “Гиредмет”, Москва, 119017, Б. Толмачёвский пер., д. 5); К. Д. Щербачев, старший научный сотрудник, В. Т. Бублик, доктор физ.-мат. наук, профессор, (ФГОУ ВПО “Национальный исследовательский технологический университет “МИСиС”, 119049, г. Москва, Ленинский просп., д. 4); О. А. Авдеев, Т. Ю. Чемекова, e-mail: chemekova@n-crystals.fi.ru, Е. Н. Мохов., С. С. Нагалюк, Х. Хелава,(ООО “Нитридные кристаллы”, 194156, г. С.-Петербург, просп. Энгельса, д. 27); Ю. Н. Макаров, ООО “Нитридные кристаллы”, 194156, г. С-Петербург, просп. Энгельса, д. 27; ООО “Галлий-Н”, 194156, г. С-Петербург, просп. Энгельса, д.2 7, корп. 5, e-mail:makarov@semicrys.fi.ru |
| ОБЩИЕ ВОПРОСЫ | |
| Название | История электроники в России. Часть первая: Истоки |
| Автор | Д. Г. Крутогин |
| Информация об авторе | Д. Г. Крутогин, кандидат техн. наук, профессор, кафедра технологии материалов электроники, ФГОУ ВПО “Национальный исследовательский технологический университет “МИСиС”, 119049, г. Москва, Ленинский просп., д. 4. |
| Название | ПАМЯТИ В. Г. ГЛОТОВА |
