Journals →
Материалы электронной техники →
2010 →
#2
Journals →
Материалы электронной техники →
2010 →
#2
Материалы электронной техники
| ArticleName | Некоторые тенденции развития и совершенствования КМОП–технологии нанометрового топологического диапазона |
| ArticleAuthors | О. М. Орлов, В. Н. Мурашев |
| ArticleAuthorsData | О. М. Орлов, кандидат техн. наук, начальник лаборатории, ОАО “НИИ молекулярной электроники и завод „Микрон“, 124460, Зеленоград, К-460, 1-й Западный проезд, д. 12, стр.1, e-mail: ovksh@yandex.ru, В. Н. Мурашев, доктор техн. наук, профессор, ФГОУ ВПО “Национальный исследовательский технологический университет “МИСиС”, 119049, г. Москва, Ленинский просп., д. 4, e-mail: vnmurashev@mail.ru |
| МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ И ТЕХНОЛОГИЯ. ПОЛУПРОВОДНИКИ | |
| ArticleName | Пироэлектрический отклик и нестационарный фототок короткого замыкания в пленках сегнетоэлектрика–полупроводника Sn2P2S6 |
| ArticleAuthors | А. А. Богомолов, А. В. Солнышкин, Д. А. Киселев, И. П. Раевский, Д. Н. Санджиев, В. Ю. Шонов |
| ArticleAuthorsData | А. А. Богомолов, профессор, e-mail: p000717@ tversu.ru, А. В. Солнышкин, доцент, Д. А. Киселев, аспирант, (Тверской государственный университет, кафедра физики сегнетоэлектриков и пьезоэлектриков, 170002, г. Тверь, Садовый пер., д. 35); И. П. Раевский, профессор, зав. отдела физики полупроводников, Д. Н. Санджиев, кандидат физ.-мат. наук, научный сотрудник отдела физики полупроводников, В. Ю. Шонов, кандидат физ.-мат. наук, научный сотрудник отдела физики полупроводников, (НИИ физики Южного федерального университета, 344090, г. Ростов-на-Дону, просп. Стачки, д. 194). |
| ArticleName | Современное состояние производства CdTe, ZnTe и Cd1-хZnхTe |
| ArticleAuthors | Н. А. Кульчицкий, А. В. Наумов |
| ArticleAuthorsData | Н. А. Кульчицкий, доктор техн. наук, ведущий научный сотрудник, Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова, химический факультет, 119991, Москва, Ленинские горы, д. 1, стр. 3, e-mail: n.kulchitsky@gmail.com; А. В. Наумов, начальник производства, ООО КВАР, 123458, Москва, ул. Таллинскя, д. 24, оф. 108, e-mail: kvar@comail.ru |
| ArticleName | Универсальная технология выращивания кристаллов широкозонных II—VI-соединений |
| ArticleAuthors | Н. Н. Колесников, А. В. Тимонина |
| ArticleAuthorsData | Н. Н. Колесников, кандидат техн. наук, заведующий лабораторией, e-mail: nkolesn@issp.ac.ru, А. В. Тимонина, младший научный сотрудник, e-mail: avtim@issp.ac.ru, (Институт физики твердого тела РАН, 142432, Московская обл., Черноголовка, ул. Институтская, д. 2). |
| МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ И ТЕХНОЛОГИЯ. ДИЭЛЕКТРИКИ | |
| ArticleName | Исследование микровключений в профилированных кристаллах сапфира |
| ArticleAuthors | А. В. Бородин, В. А. Бородин, В. Е. Искоростинская, Т. А. Стериополо, И. И. Ходос, А. Н. Некрасов |
| ArticleAuthorsData | А. В. Бородин, кандидат физ.-мат. наук, e-mail: borodin@ezan.ac.ru, В. А. Бородин, член-корреспондент РАН, e-mail: bor@ezan.ac.ru, В. Е. Искоростинская, аспирант, e-mail: kamynina@ezan.ac.ru, Т. А. Стериополо, (ФГУП “Экспериментальный завод научного приборостроения РАН” (ФГУП ЭЗАН), 142432, Московская обл., г. Черноголовка, ул. ак. Семенова, д. 9); И. И. Ходос, доктор физ.-мат. наук, Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, 142432, Московская обл., Черноголовка, ул. Институтская, д. 6, e-mail: chodos@iptm.ac.ru; А. Н. Некрасов, Институт экспериментальной минералогии (ИЭМ РАН), 142432, Московская обл., г. Черноголовка, ул. Институтская, д. 4, e-mail: alex@iem.ac.ru |
| МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ И ТЕХНОЛОГИЯ. МАГНИТНЫЕ МАТЕРИАЛЫ | |
| ArticleName | Влияние отклонения от стехиометрии на фазовый состав и свойства Y—Al–феррограната |
| ArticleAuthors | Ю. Н. Афанасьев, <span class="line">И. С. Рыбачук</span>, И. И. Канева, Д. Г. Крутогин, А. А. Механикова |
| ArticleAuthorsData | Ю. Н. Афанасьев, кандидат техн. наук, старший научный сотрудник, ОАО ГСКБ “Алмаз-Антей”, 125170, г. Москва, Ленинградский просп., д. 80; И. С. Рыбачук, кандидат техн.наук, старший преподаватель, И. И. Канева, кандидат техн. наук, доцент, кафедра технологии материалов электроники, Д. Г. Крутогин, кандидат техн. наук, профессор, кафедра технологии материалов электроники, А. А. Механикова, студент, (ФГОУ ВПО “Национальный исследовательский технологический университет “МИСиС”, 119049, г. Москва, Ленинский просп., д. 4). |
| ArticleName | Ферритовые материалы для повышенных рабочих температур |
| ArticleAuthors | Т. В. Акимова, Д. Г. Крутогин, Ю. М. Краюшкина, А. Д. Роговой |
| ArticleAuthorsData | Т. В. Акимова, инженер, кафедра технологии материалов электроники, Д. Г. Крутогин, кандидат техн. наук, профессор, кафедра технологии материалов электроники, Ю. М. Краюшкина, студент, А. Д. Роговой, инженер, (ФГОУ ВПО “Национальный исследовательский технологический университет “МИСиС”, 119049, г. Москва, Ленинский просп., д. 4). |
| ArticleName | Исследование влияния длительности измельчения порошков гексаферрита стронция на микроструктуру и свойства магнитов на их основе |
| ArticleAuthors | В. Г. Андреев, И. И. Канева, С. В. Подгорная, А. Н. Тихонов |
| ArticleAuthorsData | В. Г. Андреев, доктор техн. наук, профессор, зав. кафедрой естественнонаучных и технических дисциплин, Кузнецкий институт информатики и управленческих технологий (филиал Пензенского государственного университета), 442500, г. Кузнецк, ул. Маяковского, д. 57а.; И. И. Канева, кандидат техн. наук, доцент, кафедра технологии материалов электроники, С. В. Подгорная, кандидат техн. наук, доцент, кафедра технологии матeриалов электроники, А. Н. Тихонов, студент, (ФГОУ ВПО “Национальный исследовательский технологический университет “МИСиС”, 119049, г. Москва, Ленинский просп., д. 4). |
| ArticleName | Влияние добавок оксидов металлов на температурную зависимость магнитных потерь в Mn—Zn-ферритах |
| ArticleAuthor | А. В. Копаев |
| ArticleAuthorData | А. В. Копаев, кандидат техн. наук, доцент, кафедра материаловедения и новейших технологий, Прикарпатский национальный университет, 76010, Украина, г. Ивано-Франковск, e-mail: iskander.vened@rambler.ru |
| ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СЛОИ И МНОГОСЛОЙНЫЕ КОМПОЗИЦИИ | |
| ArticleName | Исследование спектральных и фотоэлектрических параметров высоковольтных многопереходных солнечных батарей |
| ArticleAuthors | А. С. Корольченко, С. А. Леготин, С. И. Диденко, С. П. Кобелева, М. Н. Орлова, В. Н. Мурашев |
| ArticleAuthorsData | А. С. Корольченко, аспирант, инженер, e-mail: akorolchenko@mail.ru, С. А. Леготин, аспирант, инженер, e-mail: legotin@hotbox.ru, С. И. Диденко, кандидат физ.-мат. наук, доцент, e-mail: sdi13@mail.ru, С. П. Кобелева, кандидат физ.-мат.наук, cтарший научный сотрудник, e-mail: kob@misis.ru, М. Н. Орлова, кандидат техн. наук, доцент, e-mail: xomnx@mail.ru, В. Н. Мурашев, доктор техн. наук, профессор, e-mail: vnmurashev@mail.ru, (ФГОУ ВПО “Национальный исследовательский технологический университет “МИСиС”, 119049, г. Москва, Ленинский просп., д. 4). |
| ArticleName | Влияние режимов эксплуатации светодиодов на процесс дефектообразования в области p—n–перехода и снижение квантового выхода |
| ArticleAuthor | Ф. И. Маняхин |
| ArticleAuthorData | Ф. И. Маняхин, доктор физ.-мат. наук, профессор, зав. кафедрой электротехники и микропроцессорной электроники, ФГОУ ВПО “Национальный исследовательский технологический Университет “МИСиС”, 119049, г. Москва, Ленинский просп., д. 4. |
| ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА И МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЙ | |
| ArticleName | Структурные и электрические свойства подложек AlN, используемых для выращивания светодиодных гетероструктур |
| ArticleAuthors | А. Я. Поляков, Н. Б. Смирнов, А. В. Говорков, И. А. Белогорохов, К. Д. Щербачев, В. Т. Бублик, О. А. Авдеев, Т. Ю. Чемекова, Е. Н. Мохов, С. С. Нагалюк, Х. Хелава, Ю. Н. Макаров |
| ArticleAuthorsData | А. Я. Поляков, ведущий научный сотрудник, e-mail: aypolyakov@gmail.com, Н. Б. Смирнов, А. В. Говорков, старший научный сотрудник, И. А. Белогорохов, cтарший научный сотрудник, (ОАО “Гиредмет”, Москва, 119017, Б. Толмачёвский пер., д. 5); К. Д. Щербачев, старший научный сотрудник, В. Т. Бублик, доктор физ.-мат. наук, профессор, (ФГОУ ВПО “Национальный исследовательский технологический университет “МИСиС”, 119049, г. Москва, Ленинский просп., д. 4); О. А. Авдеев, Т. Ю. Чемекова, e-mail: chemekova@n-crystals.fi.ru, Е. Н. Мохов., С. С. Нагалюк, Х. Хелава,(ООО “Нитридные кристаллы”, 194156, г. С.-Петербург, просп. Энгельса, д. 27); Ю. Н. Макаров, ООО “Нитридные кристаллы”, 194156, г. С-Петербург, просп. Энгельса, д. 27; ООО “Галлий-Н”, 194156, г. С-Петербург, просп. Энгельса, д.2 7, корп. 5, e-mail:makarov@semicrys.fi.ru |
| ОБЩИЕ ВОПРОСЫ | |
| ArticleName | История электроники в России. Часть первая: Истоки |
| ArticleAuthor | Д. Г. Крутогин |
| ArticleAuthorData | Д. Г. Крутогин, кандидат техн. наук, профессор, кафедра технологии материалов электроники, ФГОУ ВПО “Национальный исследовательский технологический университет “МИСиС”, 119049, г. Москва, Ленинский просп., д. 4. |
| ArticleName | ПАМЯТИ В. Г. ГЛОТОВА |
