Журналы →  Материалы электронной техники →  2012 →  №4 →  Назад

МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ И ТЕХНОЛОГИЯ. ПОЛУПРОВОДНИКИ
Название Расслоение твердого раствора GeSi на подложках GaAs и Si
Автор Е. Ф. Венгер, Л. А. Матвеева, П. Л. Нелюба
Информация об авторе

Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины:

Е. Ф. Венгер

Л. А. Матвеева

П. Л. Нелюба

Реферат

Изучены электронные, оптические и механические свойства гетеросистем Ge1−xSix на подложках GaAs (х = 0÷0,04) и Si (х = 0,75). Исследования проводили с помощью модуляционной спектроскопии электроотражения света для пленок и подложек, классической спектроскопии в области собственного поглощения пленок, измерения кривизны гетеросистем для определения знака и величины внутренних механических напряжений в них. Установлено изменение состава твердого раствора с образованием новых структур как в процессе осаждения пленок, так и под влиянием γ−облучения. Найдена возможность уменьшения внутренних механических напряжений и улучшения электронных параметров пленки и подложки на границе раздела, а также получения гетеросистем с твердым раствором без деформации изгиба.

Ключевые слова Гетероструктуры, твердые растворы GeSi, γ−облучение, элетроотражение, релаксация механических напряжений
Библиографический список

1. Конакова, Р. В. Влияние однородности твердого раствора Ge1−xSix на выход годных ЛПД−диодов / Р. В. Конакова, Л. А. Матвеева, Ю. А. Тхорик // Материалы VI координационного совещания по исследованию и применению сплавов кремний—германий − Тбилиси, 1986. − С. 84.
2. Кардона, M. Модуляционная спектроскопия / M. Кардона − М. : Мир, 1972. − С. 100.
3. Тягай, В. А. Электроотражение света в полупроводниках / В. А. Тягай, О. В. Снитко − Киев: Наукова думка, 1990. − С. 174.
4. Aspnes, D. E. Third−derivate modulation spectroscopy with low−field electroreflectance / D. E. Aspnes // Surf. Sci. − 1973. − V. 28. − P. 418—442.
5. Гофман, Р. У. Физика тонких пленок / Р. У. Гофман − М. : Мир, 1968. − Т. III. − С. 239.
6. Панков, Ж. Оптические процессы в полупроводниках / Ж. Панков − М. : Мир, 1973. − Приложение II. − С. 436.
7. Holiney, R. Yu. Investigation of the undersurface damaged layers in silicon wafers / R. Yu. Holiney, L. A. Matveeva, E. F. Venger // Semiconductor phys., quantum electronics and optoelectronics. − 1999. − V. 2, N 4. − P. 10—12.
8. Венгер, Е. Ф. Оптические свойства и энергетический спектр гетеросистемы SixGe1−x/GaAs / Е. Ф. Венгер, Л. А. Матвеева // Неорган. материалы. − 1997. − Т. 33, вып. 2. − С. 153—157.

Language of full-text русский
Полный текст статьи Получить
Назад