МАДИ:

Т. М. Ткачева

М. Н. Шахов

НИЦ «Курчатовский институт»:

Л. М. Иванова

К. Д. Демаков

Поликристаллические пленки 3C−SiC на кремнии выращены методом CVD путем термического разложения метилтрихлорсилана в водороде при температуре 1000—1250 °С. Определены условия проведения процесса, при которых получены однородные с зеркальной поверхностью слои 3C−SiC с хорошей адгезией. Методом рентгеновской топографии исследована дефектная структура подложки монокристаллического кремния с нанесенной пленкой 3C−SiC. Установлено, что на всех проекционных топограммах контраст от упругих напряжений в точности повторяет морфологию пленки. Приповерхностные поля упругих напряжений в подложке уменьшаются по мере повышения температуры выращивания пленки 3C−SiC. Показано, что гетероструктура 3C−SiC очень чувствительна к термообработке.

1. Орлов, Л. К. Особенности и механизмы роста пленок кубического карбида кремния на кремнии / Л. К. Орлов, Э. А. Штейнман, Т. Н. Смыслова, Н. Л. Ивина, А. Н. Терещенко // ФТТ. − 2012. − Т. 54, вып. 4. − С. 666—672.
2. Иванова, Л. М. Получение поликристаллического карбида кремния термическим разложением метилтрихлорсилана / Л. М. Иванова, А. А. Плетюшкин // Карбид кремния. − Киев : Наукова Думка, 1966. − C. 151—156.
3. Александров, П. А. Получение и структурные исследования нанокомпозита на основе 3C–SiC / П. А. Александров, Н. Е. Белова, К. Д. Демаков, Л. М. Иванова, Ю. Ю. Кузнецов, Н. В. Степанов, С. Г. Шемардов // Вопросы атомной науки и техники. Сер. Термоядерный синтез. − 2007. − Вып. 1. − С. 68—75.
4. Иванова, Л. М. Получение тонких пленок кубического карбида кремния термическим разложением метилтрихлорсилана в водороде / Л. М. Иванова, П. А. Александров, К. Д. Демаков, В. А. Старостин, С. Г. Шемардов // Неорганич. материалы. − 2005. − Т. 41, № 3. − С. 297—300.
5. Новикова, С. Н. Тепловое расширение твердых тел / С. Н. Новикова. − М. : Наука, 1974. − 228 с.