Ховив А. М., Логачева В. А., Касаткина Е. В., Воронежский государственный университет

1. Ховив А. М., Назаренко И. Н., Малевская Л. А. // Изв. РАН. Неорган. материалы. 1997. Т. 157, № 11. С. 1194–1199.
2. Назаренко И. Н. Физикохимическая модель оксидирования полупроводников и металлов. — Воронеж : Воронеж. гос. технол. академия, 1997. — 73 с.
3. Репинский С. М. // Поверхность. 1995. № 7/8. С. 12–19.
4. Кукушкин С. А. // ФТТ. 1995. Т. 37, № 7. С. 2127–2132.
5. Кукушкин С. А. // Журн. техн. физики. 1995. Т. 65, вып. 6. С. 169–175.
6. Shim C. H., Lee D. S., Hwang S. L. еt al. // Sensors and Actuators. B : Chemical. 2002. Vol. 81, N 2/3. P. 176–181.
7. Sangaletti L., Depero L. E., Allieri B. // J. Mater. Res. 1998. Vol. 13, N 9. P. 2457–2460.
8. Урывский Ю. И., Лаврентьев К. А., Седов А. Н. и др. Современные проблемы эллипсометрии : сб. ст. — Новосибирск : Наука, 1980. С. 71–78.