Редкие металлы, полупроводники | |
ArticleName | Влияние химической чистоты исходных реактивов ZnO, WO3 и Yb2O3 на спектрально-абсорбционные свойства монокристаллов ZnWO4 |
DOI | 10.17580/tsm.2019.10.05 |
ArticleAuthor | Субботин К. А., Титов А. И.,Можевитина Е. Н., Лис Д. А. |
ArticleAuthorData | Российский химико-технологический университет имени Д. И. Менделеева, Москва, Россия1 ; Институт общей физики имени А. М. Прохорова РАН, Москва, Россия2: К. А. Субботин, доцент каф. химии и технологии кристаллов1, зав. лаб. спектроскопии лазерных кристаллов2, канд. техн. наук, эл. почта: soubbot1970@gmail.com А. И. Титов, студент магистратуры1, инженер лаб. спектроскопии лазерных кристаллов2
Российский химико-технологический университет имени Д. И. Менделеева, Москва, Россия Е. Н. Можевитина, науч. сотр. каф. химии и технологии кристаллов, канд. хим. наук
Институт общей физики имени А. М. Прохорова РАН, Москва, Россия: |
Abstract | Концентрации 64 неконтролируемых примесных элементов в исходных препаратах триоксида вольфрама, оксида цинка и сесквиоксида иттербия от различных производителей определены методом масс-спектрометрии с индуктивно-связанной плазмой. С использованием различных комбинаций исходных реактивов методом Чохральского в платино-родиевых тиглях на воздухе выращены монокристаллы вольфрамата цинка: как номинально чистого ZnWO4, так и активированного ионами иттербия Yb:ZnWO4. Анализ спектров оптического поглощения выращенных кристаллов показал, что суммарное поглощение кристаллов складывается из двух составляющих. Первая из них удаляется при длительном высокотемпературном окислительном отжиге кристаллов и, вероятно, обусловлена центрами окраски на основе кислородных вакансий, образующихся в результате недостаточного окислительного потенциала ростовой атмосферы. Вторая составляющая не удаляется при отжиге и обусловлена, по-видимому, примесными ионами, так как в результате работы установлена корреляция между концентрациями случайных примесей в исходных реактивах и характером второй составляющей оптического поглощения кристаллов. Анализ полученных в работе результатов и литературных данных дает основания предположить, что поглощающим центром являются ионы трехвалентного марганца. При этом сечение поглощения данного центра аномально велико. Работа выполнена при финансовой поддержке Министерства науки и высшего образования Российской Федерации, уникальный идентификатор проекта RFMEFI57418X0186. |
keywords | Монокристалл, вольфрамат цинка, легирование, иттербий, метод Чохральского, химическая чистота, масс-спектрометрия с индуктивно-связанной плазмой, оптическое поглощение, центр окраски |
References | 1. Kravchenko V. B. Crystal structure of the monoclinic form of magnesium tungstate MgWO4 // Journal of Structural Chemistry. 1969. Vol. 10, No. 1. P. 139–140. 13. Galashov E. N., Gusev V. A., Shlegel V. N., Vasiliev Ya. V. The growth of ZnWO4 and CdWO4 single crystals from melt by the low thermal gradient Czochralski technique // Crystallography Reports. 2009. Vol. 54, No. 4. P. 689–691. |
Language of full-text | russian |
Full content | Buy |