Материаловедение | |
Название | Поведение гелия и водорода в сплавах ванадия — перспективных конструкционных материалах первой стенки термоядерных реакторов: обзор. Часть 3. Последовательная имплантация ионов гелия и водорода |
DOI | 10.17580/tsm.2023.07.09 |
Автор | Чернов И. И., Стальцов М. С. |
Информация об авторе | Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ», Москва, Россия: И. И. Чернов, профессор отделения ядерной физики и технологий офиса образовательных программ, докт. физ.-мат. наук, эл. почта: i_chernov@mail.ru |
Реферат | Представлена третья часть обзора об изучении влияния легирующих элементов на поведение гелия, водорода, особенности развития газовой пористости, количество удерживаемого водорода в сплавах ванадия с Ti, Cr, W и Ta. Приведены результаты исследования микроструктуры вдоль пробега внедренных ионов гелия. При изучении образцов использовали метод просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ). Обнаружены три слоя с разным характером развития гелиевой пористости по глубине облученной мишени. Установлено, что при последовательном облучении ионами гелия и водорода поры/пузырьки максимального размера развиваются на расстояниях от поверхности, превышающих глубину расчетного максимума распределения внедренных ионов гелия. То есть дополнительное облучение ионами Н+ образцов, предварительно имплантированных ионами Не+, сдвигает область формирования крупной пористости вглубь образца. Проведены сравнительные исследования и расчет параметров газовой пористости образцов, изготовленных в установке струйного электролитического утонения (ЭУ) с необлученной стороны (прибор TenuPol-5) и вырезанием их перпендикулярно облученной поверхности фокусированным ионным пучком (ФИП). Показано, что при использовании ЭУ теряется вся информация глубже 100 нм, а при использовании ФИП обнаружена пористость на глубинах, почти в 3 раза больших, чем максимальный расчетный пробег ионов Не+ с энергией 40 кэВ в ванадии. Отмечено, что основным преимуществом метода ФИП является возможность изучать распределение пузырьков, пор, радиационных дефектов и других объектов по глубине облучаемого слоя, что позволяет более полно описать закономерности развития микроструктуры в имитационных экспериментах с использованием ионного облучения. К недостаткам этого способа стоит отнести дороговизну и длительность процесса получения образца для ПЭМ. *Окончание. Начало см. «Цветные металлы». 2022. № 12. С. 65–72 и «Цветные металлы». 2023. № 5. С. 56–64. |
Ключевые слова | Ванадий, малоактивируемые ванадиевые сплавы, гелий, водород, гелиевая пористость, просвечивающая электронная микроскопия, методы изготовления ПЭМ-объектов |
Библиографический список | 1. Чернов И. И., Стальцов М. С. Поведение гелия и водорода в сплавах ванадия — перспективных конструкционных материалах первой стенки термоядерных реакторов: обзор. Часть 1. Сплавы систем V – Ti и V – Fe // Цветные металлы. 2022. № 12. С. 65–72. 4. Стальцов М. С., Чернов И. И., Калин Б. А. и др. Особенности развития газовой пористости вдоль пробега ионов в ванадиевых сплавах при последовательном облучении ионами гелия и водорода // Металлы. 2019. № 6. С. 14–20. |
Language of full-text | русский |
Полный текст статьи | Получить |