EPITAXIAL LAYERS AND MULTILAYERED
COMPOSITIONS
ArticleName
Effect of LED operation mode on defect formation
in the p—n–junction area and quantum efficiency
ArticleAuthor
F.I. Manyakhin
ArticleAuthorData
F.I. Manyakhin, National Research University «MISiS»
Abstract
The dependence of the concentration of nonequilibrium
defects arising while in service LEDs on the basis of AlGaN/
InGaN/GaN and AlInGaP heteresructures with quantum wells
on the time of course of direct current and electrical modes
has been established. Experimental results confirming the
reliability of these dependences have been received.
keywords
LED, heterostructure, quantum efficiency, point
defects.
References
1. Torchinskaja, T. V. Preobrazovanie defektov v svetoizluchajuwih diodah GaAs:Si v neravnovesnyh uslovijah / T. V. Torchinskaja, G. N. Semenova, M. K. Shejnkman // Ukr. FZh. - 1989. - Vol. 34,
N 7. - P. 1079—1084.
2. Vavilov, V. S. Mehanizmy obrazovanija i migracii defektov v poluprovodnikah / V. S. Vavilov, A. E. Kiv, O. R. Nijazova - M. : Nauka, 1981.
3. Manjahin, F. I. Nestabil'nost' raspredelenija koncentracii jelektricheski aktivnyh centrov vblizi p—n-perehoda AlGaN/InGaN/GaN svetodiodnyh struktur s kvantovymi jamami pri proteknii prjamogo toka / F. I. Manjahin // Izv. vuzov. Materialy jelektron. tehniki. - 2005. - N 3. - P. 45—49.
4. Manjahin, F. I. Podporogovyj mehanizm obrazovanija defektov inzhektirovannymi nositeljami zarjada v poluprovodnikovyh strukturah / F. I. Manjahin // Ibid. - 1998. - N 1. - P. 37—42.
5. Manjahin, F. I. Rol' kompensirovannogo sloja v formirovanii vol't-ampernoj harakteristiki svetodiodov na osnove shirokozonnyh poluprovodnikov / F. I. Manjahin // Ibid. 2009. - N 3. - P. 51—56.
6. Bhapkar, U. V. Monte-Carlo calculation of velocity-field characteristics of wurtzite GaN / U. V. Bhapkar, M. S. Shur // J. Appl. Phys. - 1997. - V. 82, N 4. - P. 1649—1655.
7. Bloom, S. Band structure and reflectivity of GaN / S. Bloom, G. Harbeke, E. Meier, I. B. Ortenburger // Phys. status solidi. - 1974. - V. 66. - P. 161—168.
2. Vavilov, V. S. Mehanizmy obrazovanija i migracii defektov v poluprovodnikah / V. S. Vavilov, A. E. Kiv, O. R. Nijazova - M. : Nauka, 1981.
3. Manjahin, F. I. Nestabil'nost' raspredelenija koncentracii jelektricheski aktivnyh centrov vblizi p—n-perehoda AlGaN/InGaN/GaN svetodiodnyh struktur s kvantovymi jamami pri proteknii prjamogo toka / F. I. Manjahin // Izv. vuzov. Materialy jelektron. tehniki. - 2005. - N 3. - P. 45—49.
4. Manjahin, F. I. Podporogovyj mehanizm obrazovanija defektov inzhektirovannymi nositeljami zarjada v poluprovodnikovyh strukturah / F. I. Manjahin // Ibid. - 1998. - N 1. - P. 37—42.
5. Manjahin, F. I. Rol' kompensirovannogo sloja v formirovanii vol't-ampernoj harakteristiki svetodiodov na osnove shirokozonnyh poluprovodnikov / F. I. Manjahin // Ibid. 2009. - N 3. - P. 51—56.
6. Bhapkar, U. V. Monte-Carlo calculation of velocity-field characteristics of wurtzite GaN / U. V. Bhapkar, M. S. Shur // J. Appl. Phys. - 1997. - V. 82, N 4. - P. 1649—1655.
7. Bloom, S. Band structure and reflectivity of GaN / S. Bloom, G. Harbeke, E. Meier, I. B. Ortenburger // Phys. status solidi. - 1974. - V. 66. - P. 161—168.
Language of full-text
russian
Full content