Журналы →
Материалы электронной техники →
2010 →
№1 →
Назад
Назад
МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ И ТЕХНОЛОГИЯ. ПОЛУПРОВОДНИКИ | |
Название | Моделирование кинетики процесса коалесценции первичных ростовых микродефектов в бездислокационных монокристаллах кремния |
Автор | В. И. Таланин, И. Е. Таланин, А. И. Мазурский, М. Л. Максимчук |
Информация об авторе | В. И. Таланин, кандидат физ.мат. наук, доцент, профессор, И. Е. Таланин, доктор физ.-мат. наук, профессор, зав. кафедрой, А. И. Мазурский, магистр, М. Л. Максимчук, магистр, (Классический приватный университет, Украина, 69002, г. Запорожье, ул. Жуковского, д. 70Б). |
Реферат | Получено аналитическое выражение функции изменения распределения зародышей первичных ростовых микродефектов по размерам. Показано, что стадия коалесценции первичных ростовых микродефектов не разделена во времени и идет параллельно со стадией процесса их образования. |
Ключевые слова | Микродефекты, монокристаллы кремния, коалесценция, кинетика, зародышеобразование. |
Библиографический список | 1. Talanin, V. I. Mechanism of formation and physical
classification of the grown-in microdefects in semiconductor silicon
/ V. I. Talanin, I. E. Talanin // Defects and Diffusion Forum. - 2004.
- V. 230/232. - P. 177—198. 2. Talanin, V. I. Formation of grown-in microdefects in dislocation-free silicon monocrystals / V. I. Talanin, I. E. Talanin // New research on semiconductors - N.-Y. : Nova Sci. Publ., 2006. - P. 31—67. 3. Таланин, В. И. Взаимодействие точечных дефектов в процессе роста бездислокационных монокристаллов кремния / В. И. Таланин // Изв. вузов. Материалы электрон. техники - 2007. - № 4. - С. 27. 4. Таланин, В. И. Моделирование и свойства дефектной структуры бездислокационных монокристаллов кремния / В. И. Таланин - Запорожье : ГУ ЗИГМУ, 2007. - 276 с. 5. Таланин, В. И. О рекомбинации собственных точечных дефектов в бездислокационных монокристаллах кремния / В. И. Таланин, И. Е. Таланин // ФТТ. - 2007. - Т. 49, Вып. 3. - С. 450—453. 6. Itsumi, M. Octahedral void defects in Czochralski silicon / M. Itsumi // J. Cryst. Growth. - 2002. - V. 237/239. - P. 1773—1785. 7. Talanin, V. I. About the simulation of primary grown-in microdefects in dislocation-free silicon single-crystal formation / V. I. Talanin, I. E. Talanin, A. A. Voronin // Canadian J. Phys. - 2007. - V. 85, N 12. - P. 1459—1471. 8. Talanin, V. I. The aggregation of point defects in dislocation- free silicon single crystals / V. I. Talanin, I. E. Talanin, A. A. Voronin, A. V. Sirota // Functional Mater. - 2007. - V. 14, N 1. - P. 48—52. 9. Лифшиц, Е. М. Физическая кинетика / Е. М. Лифшиц, Л. П. Питаевский ? М. : Физматлит, 2002. - 536 с. 10. Лифшиц, И. М. О кинетике диффузионного распада пересыщенных твердых растворов / И. М. Лифшиц, В. В. Слезов // ЖЭТФ. - 1958. - Т. 35, № 2. - С. 479. 11. Слезов, В. В. Диффузионный распад твердых растворов / В. В. Слезов, В. В. Сагалович // УФН. - 1987. - Т. 151, Вып. 1. - С. 67—104. 12. Ситникова, А. А. Исследование микродефектов D-типа в монокристаллах кремния / А. А. Ситникова, Л. М. Сорокин, Э. Г. Шейхет // ФТТ. - 1987. - Т. 29, № 9. - С. 2623—2628. 13. Смирнов, Б. М. Генерация кластерных пучков / Б. М. Смирнов // УФН. - 2003. - Т. 173, № 6. - С. 609—648. 14. Булярский, С. В. Моделирование неоднородной по объему преципитации кислорода в кремнии / С. В. Булярский, В. В. Светухин, О. В. Приходько // ФТП. - 1999. - Т. 33, Вып. 11. - С. 1281—1286. 15. Ueki, T. Shrinkage of grown-in defects in Czochralski silicon during thermal annealing in vacuum / T. Ueki, M. Itsumi, T. Takeda // Jap. J. Appl. Phys. - 1999. - V. 38. - P. 5695—5704. 16. Talanin, V. I. Physical nature of grown-in microdefects in czochralski-grown silicon and their transformation during various technological effects / V. I. Talanin, I. E. Talanin // Phys. status Solidi. a. - 2003. - V. 200. - P. 297—306. |
Language of full-text | русский |
Полный текст статьи | Получить |