• Покупка статей
  • Telegram_OreMet
Скрыть↑
Журналы →  Материалы электронной техники →  2010 →  №1 →  Назад

ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА И МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЙ
Название Исследование структуры мультикристаллического кремния для фотоэлектрических преобразователей: проблема оценки размера зерен
Автор А. В. Приходько
Информация об авторе А. В. Приходько, кандидат физ.-мат. наук, доцент, Запорожский национальный университет, Украина, 69600, г. Запорожье, ул. Жуковского, д. 66, e-mail: avp1768@rambler.ru, Тел.: (38061) 2891243.
Реферат Изучена структура мультикристаллического кремния и ее влияние на эффективность фото-электрических преобразователей солнечной энергии. Установлено, что пластины из мультикристаллического кремния различаются только содержанием зерен мелкой фракции размером до 2—4 мм, тогда как средняя и крупная фракции практически неизменны. Рассмотрен способ сортировки пластин по величине зерна мультикристаллического кремния, основанный на количественном критерии. Обнаружено, что высокое содержание мелкой фракции может приводить к снижению эффективности фотоэлектрических преобразователей.
Ключевые слова Фотоэлектрический преобразователь, эффективность, время жизни, мультикристаллический кремний, межзеренные границы, двойниковые границы.
Библиографический список 1. Кузакова, Н. И. Изучение макро- и микроструктуры кремния / Н. И. Кузакова, Н. В. Немчинова, Б. А. Красин // Современные проблемы науки и образования. - 2007. - № 6. - Ч. 3. - С. 7.
2. Chen, S. P. Electrically inactive poly-silicon grain boundaries. / S. P. Chen, J. D. Kress, A. F. Voter, R. C. Albers // Fourth Internat. Symp. on Process Phys. and Modeling in Semiconductor Technol. - Los Angeles (CA), 1996. - P. 359—374.
3. Chen, J. Recombination activity of Σ3 boundaries in boron-doped multicrystalline silicon: Influence of iron contamination. / J. Chen, D. Yang, Zh. Xi // J. Appl. Phys. - 2005. - V. 97, N 3. - P. 033701.1—033701.5.
4. Chen, J. Electron?beam?induced current study of small-angle grain boundaries in multicrystalline silicon / J. Chen, T. Sekiguchi, R. Xie, P. Ahmet, T. Chikyo, D. Yang, S. Ito, F. Yin // Scripta Mater. - 2005. - V. 52. - P. 1211—1215.
5. Cuevas, A. High minority carrier lifetime in phosphorus? gettered multicrystalline silicon / A. Cuevas, M. Stocks, S. Armand, M. Stuckings, A. Blakers, F. Ferrazza // Appl. Phys. Lett. - 1997. - V. 70, N 8. - P. 1017—1019.
6. Zuschlag, A. Investigations on the recombination activity of grain boundaries in mc silicon / A. Zuschlag, G. Micard, J. Junge, M. Käs, S. Seren, G. Hahn, G. Coletti, G. Jia, W. Seifert // 33-rd IEEE Photovoltaic Specialists Conf. Proc. - 2008. - P. 4.
7. Barranco i Diaz, M. Low-cost high-efficient multicrystalline silicon for photovoltaics / M. Barranco i Diaz. // Proc. Energy «Marie Curie» Res. Fellowships Conf. - Schlumberger; Clamart (France), 2000. - P. 1—11.
8. Landsberg, P. T. Effects of surface states and of excitation on barrier heights in a simple model of a grain boundary or a surface / P. T. Landsberg, M. S. Abraham // J. Appl. Phys. - 1984. - V. 55. - P. 4284—4293.
9. Lee, S. E. Novel type of multicrystalline silicon solar cell with an additional electrode along the grain boundaries / S. E. Lee, D. G. Lim, J. Yi // J. Korean Phys. Society. - 2000. - V. 37, N 1. - P. 64—68.
10. Lauer, K. Evaluation of the microwave detected photoconductance decay in multicrystalline silicon / K. Lauer, A. Laades, H. Ubensee, A. Lawerenz, H. Metzner // Proc. 22nd Europ. PVSEC. - Milan, 2007. - P. 1344—1347.
11. Buonassisi, T. Impact of iron contamination in multicrystalline silicon solar cells: origins, chemical states, and device impacts / T. Buonassisi, M. Heuer, A. Istratov, M. Matthew, R. Jonczyk, B. Lai, Z. Cai, R. Schindler, E. Weber // Proc. 19th Europ. Photovoltaic Solar Energy Conf. and Exhibition. - Paris (France), 2004. - P. 488—491.
12. Buonassisi, T. Interactions between metals and different grain boundary types and their impact on multicrystalline silicon device performance / T. Buonassisi, M. Pickett, A. Istratov, E. Sauar, T. Lommasson, E. Marstein, T. Pernau, R. Clark, S. Narayanan, S. Heald, E. Weber //, Proc. 4th World Conf. on Photovoltaic Energy Conversion. - Waikoloa (Hawai’I, USA), 2006. - P. 944–947. (Pre-print)
13. Buonassisi, T. Metal precipitation at grain boundaries in silicon: Dependence on grain boundary character and dislocation decoration / T. Buonassisi, A. A. Istratov, M. D. Pickett, M. A. Marcus, T. F. Ciszek, E. R. Weber // Appl. Phys. Lett. - 2006. - V. 89. - P. 042102.
14. Istratov, A. A. Metal content of multicrystalline silicon for solar cells and its impact on minority carrier diffusion length / A. A. Istratov, T. Buonassisi, R. J. McDonald, A. R. Smith, R. Schindler, J. A. Rand, J. P. Kalejs, E. R. Weber // J. Appl. Phys. - 2003. - V. 94, N 10. - P. 6552—6559.
15. Bauer, J. Investigations on different types of filaments in multi-crystalline silicon for solar cells / J. Bauer, O. Breitenstein, A. Lotnyk, H. Blumtritt // 22nd Europ. Photovoltaic Solar Energy Conf. - Milan (Italy), 2007. - P. 994—997.
16. Breitenstein, O. Material-induced shunts in multicrystalline silicon solar cells / O. Breitenstein, J. Bauer, J. P. Rakotoniaina // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 4. - С. 454—457.
17. Bergmann, R. B. Crystalline Si thin-film solar cells: a review / R. B Bergmann. // Appl. Phys. A. - 1999. - V. 69, N 2. - P. 187—194.
18. Ciszek, T. F. Silicon defect and impurity studies using float- zone crystal growth as a tool / T. F. Ciszek // J. Cryst. Growth. - 2002. - V. 237—239. - Pt. 3. - P. 1685—1691.
19. Isenberg, J. Realistic evaluation of power losses in solar cells by using thermographic methods / J. Isenberg, W. J. Warta // J. Appl. Phys. - 2004. - V. 95. - P. 5200—5209.
20. ГОСТ 5639-82 «Стали и сплавы. Методы выявления и определения величины зерна». - М. : Изд-во стандартов, 1994. - 32 с.
21. Sabatino, M. Di. Detection of trace elements in solar grade silicon by mass spectrometry / M. Di. Sabatino, A. L. Dons, Hinrichs J., Lohne O., Arnberg L. // 22 EUPVSEC. - Milano, 2007. - P. 271—275.
22. Приходько, А. В. Влияние структуры мультикристаллического кремния для фотоэлектрических преобразователей на эффективное времени жизни неравновесных носителей заряда. / А. В. Приходько // Изв. вузов. Материалы электрон. техники. - 2008. -№ 4.- С. 8—10.
Language of full-text русский
Полный текст статьи Получить
Назад