Исследованы электрофизические параметры бездислокационных монокристаллов кремния различных групп качества, подвергнутых хранению в течение 1—20 лет при комнатной температуре. Установлено, что помимо термической и радиационной стойкости кремния к факторам, влияющим на длительность эксплуатации приборов, следует добавить и его временную стабильность. В зависимости от качества исходного сырья, режимов выращивания и последующих обработок степень деградации электрофизических параметров монокристаллов после длительного (более 10 лет) хранения убывает в последовательности: CZ−Si (НТЛ) — высокоомные FZ−Si — FZ−Si (НТЛ)− высокоомные CZ−Si — сильнолегированные CZ−Si. Во избежание непредсказуемого изменения параметров монокристаллов «солнечного качества» и характеристик изготовленных на их основе фотоэлектрических преобразователей необходимо принятие мер по оптимизации состава шихты и выбору легирующего элемента.

1. Боровиков, В. Б. STATISTICA — искусство анализа данных на компьютере. Для профессионалов. / В. Б. Боровиков. − СПб. : Питер, 2001. − 756 с.
2. Дьяконов, В. Л. MathCAD 2001: учебный курс / В. Л. Дьяконов. − СПб. : Питер, 2001. − 624 с.
3. Гринштейн, П. М. Об условиях генерации термодоноров в кремнии в интервале температур 600−800 °С / П. М. Гринштейн, Г. В. Лазарева, Е. В. Орлова, З. А. Сальник, В. И. Фистуль // ФТП. − 1978. − Т. 12, Вып. 1. − С. 121—123.
4. Гринштейн, П. М. Влияние остаточного примесного фона на кинетику генерации «вторых» кислородных доноров в кремнии / П. М. Гринштейн // ГИРЕДМЕТ − 70 лет на службе редких металлов и полупроводников. − М. : ЦИНАОЮ, 2001. − С. 240—244.
5. Колковский, И. И. Распределение электрически активных и рекомбинационных дефектов в монокристаллах бездислокационного кремния большого диаметра / И. И. Колковский, Ф. Ф. Комаров, В. В. Лукьяница // «Кремний−96»: Тез. докл. Первой Всеросс. конф. по материаловедению и физико−хим. основам технологий получения легированных монокристаллов кремния. − М. : МИСиС, 1996. − С. 88.
6. Бабицкий, Ю. М. Влияние углерода на образование термодоноров и преципитацию кислорода в бездислокационном кремнии / Ю. М. Бабицкий, П. М. Гринштейн, М. А. Ильин, М. Г. Мильвидский, Е. В. Орлова, Н. С. Рытова // Изв. АН СССР. Неорган. материалы. − 1985. − Т. 21, № 5. − С. 744—748.
7. Бабицкий, Ю. М. Взаимодействие атомов кислрода и углерода в кремнии / Ю. М. Бабицкий, П. М .Гринштейн, М. Г. Мильвидский // Там же. − 1985. − Т. 21, № 5. − С. 739−744.
8. Fraundorf, P. Clustering of oxygen atoms around carbon in silicon / P. Fraundorf, G. K. Fraundorf, F. Shimura // J. Appl. Phys. − 1985. − V. 58, N 11. − P. 4049—4055.
9. Meng, Xian−Ti Hydrogen defect shallow gonors in Si / Xian−Ti Meng // Jap. J. Appl. Phys. − 2001. − Pt. 1. − V. 40, N 4A. − P. 2123—2126.
10. Богомаз, А. В. Особенности свойств кристаллического кремния, содержащего водород / А. В. Богомаз, Т. В. Критская, А. Н. Рябец // Изв. вузов. Материалы электрон. техники. − 2009. − № 3. − С. 14—17.
11. Критская, Т. В. Особенности поведения электрически активных и фоновых примесей в процессах получения монокристаллов кремния / Т. В. Критская, И. Ф. Червоный // Металлургическая и горнорудная пром−сть. − 2003. − № 1. − С. 71—74.
12. Пат. Японии PCT/JP00/02850 ЕР № 1 114 885 А1 МКИ С30В 28/06. CZ single crystal doped with Ga and wafer and method for production thereof / T. Abe, T. Hirasawa, T. Igarashi, M. Yamaguchi (JP) − №15069799; Priority 28.05.1999; Publ. 11.07.2001, Bull.2001/28.
13. Bytkin, S. V. Silicon doped with germanium (n−Si<Ge>) usage for manufacturing of radiation hardened devices and integrated circuits. / S. V. Bytkin // Fourth Europ. Conf. on Radiation and Its Effects on Components and Systems Proc. − Cannes (Francе), 1997. − Р. 141—146.