Журналы →  Материалы электронной техники →  2010 →  №3 →  Назад

Материаловедение и технология. Полупроводники
Название Выращивание трубчатых монокристаллов кремния методом Чохральского
Автор Чигир С. Н., Кондратенко Т. Т., Силаев И. В., Кожитов Л. В., Блиев А. П., Казимиров Н. И., Сорокин С. Л.
Информация об авторе С. Н. Чигир, Институт проблем механики РАН; Т. Т. Кондратенко, НИТУ «МИСиС»; И. В. Силаев, Северо−Осетинский государственный университет им. К. Л. Хетагурова; Л. В. Кожитов, НИТУ «МИСиС»; А. П. Блиев, Северо−Осетинский государственный университет им. К. Л. Хетагурова; Н. И. Казимиров, ОАО «Подольский химико−металлургический завод»; С. Л. Сорокин, ОАО «Подольский химико−металлургический завод».
Реферат
Исследовано влияние тепловых условий выращивания методом Чохральского профильных монокристаллов кремния в виде тонкостенных полых цилиндров на их геометрическую форму и плотность дислокаций в структуре. Получены монокристаллы из высоколегированного кремния в виде тонкостенных труб, пригодные для изготовления на их основе силовых полупроводниковых приборов нового поколения.
Ключевые слова Метод Чохральского, кремний, монокристаллы, плотность дислокаций.
Библиографический список
1. Грехов, И. В. Кремниевая силовая электроника: состояние и перспективы развития / И. В. Грехов // Изв. вузов. Материалы электрон. техники. − 2000. − № 4. − С. 9—15.
2. Агаларзаде, П. С. Основы конструирования и технологии обработки поверхности p—n−перехода / П. С. Агаларзаде, А. И. Петрин, С. О. Изитдинов − М. : Сов. радио, 1978. − 224 с.
3. А. с. СССР № 1207345. кл HAL 29/06, 1985 Полупроводниковый прибор / А. Ф. Монахов, А. А. Евсеев // Опубл. 10.06.97. Бюл. 16.
4. Кожитов, Л. В. Приборы и технология на основе непланарного кремния / Л. В. Кожитов, Т. Т. Кондратенко, В. В. Крапухин, Т. Я. Кондратенко // Новые материалы. − М. : МИСиС, 2002. − С. 157—184.
5. Чигир, C. Н. Исследование теплового поля процесса роста профильного монокристалла кремния на основе сопряженной математической модели / C. Н. Чигир, Л. В. Кожитов, Т. Т. Кондратенко, В. В. Крапухин // Сб. труд. IV Российско−Японского семинара «Перспективные технологии и оборудование для материаловедения микро и наноэлектроники» − Астрахань : АГУ, 2000. − С. 300—310.
6. Бердников, В. С. Моделирование гидродинамики расплава при вытягивании кристаллов с коническим фронтом и кольцевого сечения. / В. С. Бердников, В. Л. Борисов, В. А. Марков, В. И. Панченко // Теплофизика кристаллизации веществ и материалов. − Новосибирск, 1987. − с. 16—33.
7. Верезуб, Н. А. / Н. А. Верезуб, А. И. Простомолотов // Изв. вузов. Материалы электрон. техники. − 2000. − №3. − C. 28—34.
8. Боуэн, Б. К. Высокоразрешающая рентгеновская дифрактометрия и топография / Б. К. Боуэн, Д. К. Таннер − СПб. : Наука, 2002.
Language of full-text русский
Полный текст статьи Получить
Назад