Журналы →  Материалы электронной техники →  2010 →  №3 →  Назад

Эпитаксиальные слои и многослойные композиции
Название Исследование спектральных характеристик детекторов ядерных излучений на GaAs, полученном методом хлоридной эпитаксии
Автор Кольцов Г. И., Диденко С. И., Черных А. В., Черных С. В., Сиделев А. В.
Информация об авторе Г. И. Кольцов, С. И. Диденко, А. В. Черных, С. В. Черных, А. В. Сиделев, НИТУ «МИСиС».
Реферат
Изготовлены образцы ядерных детекторов с различными видами потенциальных барьеров на слоях арсенида галлия толщиной 40 мкм с концентрацией носителей заряда менее 1012 см−3, выращенных методом хлоридной эпитаксии. Представлены результаты исследования спектральных характеристик от источников α−, β−, γ−излучений. Показано высокое детекторное качество используемого материала и выбраны направления дальнейшей оптимизации конструкций детекторов на VPE−GaAs.
Ключевые слова Арсенид галлия, АIIIВV, хлоридная эпитаксия, полупроводниковый детектор, ядерный детектор, спектральные характеристики.
Библиографический список
1. Koltsov, G. I. Comparative characteristics of GaAs detectors and silicon pixel detectors with internal amplification / G. I. Koltsov, V. N. Murashev, A. P. Chubenko, R. A. Mukhamedshin, G. I. Britvich, A. V. Chernykh, S. V. Chernykh // Mater. Res. Soc. Symp. Proc. − 2009. − V. 1108.
2. Horisberger, R. The bipolar silicon microstrip detector: A proposal for a novel precision tracking device / R. Horisberger // Nucl. Instrum. and Methods. − 1990. − V. 288. − P. 87—91.
3. Markov, A. V. Semi−insulating LEC GaAs as a material for radiation detectors: materials science issues / A. V. Markov, M. V. Mezhennyi, A. Y. Polyakov, N. B. Smirnov, A. V. Govorkov, V. K. Eremin, E. M. Verbitskaya, V. N. Gavrin, Y. P. Kozlova, Y. P. Veretenkin, T. J. Bowles // Ibid. − 2001. − V. 466. − P. 14—24.
4. Buttar, C. M. GaAs detectors / C. M. Buttar // Ibid. − 1997. − V. 395. − P. 1—8.
5. Tyazhev, A. V. GaAs radiation imaging detectors with an active layer thickness up to 1 mm / A. V. Tyazhev, D. L. Budnitsky, O. B. Koretskaya, V. A. Novikov, L. S. Okaevich, A. I. Potapov, O. P. Tolbanov, A. P. Vorobiev // Ibid. − 2003. − V. 509. − P. 34—39.
6. Корецкая, О. Б. Детекторы гамма−излучения на основе арсенида галлия, компенсированного хромом / О. Б. Корецкая, В. А. Новиков, Л. С. Окаевич, А. И. Потапов, О. П. Толбанов, А. В. Тяжев // Электрон. пром−ность. − 2002. − № 2–3. − С. 37—39.
7. Байко, И. Ю. Детекторные структуры на основе арсенида галлия, выращенного методом жидкофазной эпитаксии / И. Ю. Байко, А. П. Воробьев, В. П. Гермогенов, С. М. Гущин, А. А. Ларионов, А. И. Потапов, О. П. Толбанов, О. Г. Шмаков // Там же. − 2002. − № 2–3. − С. 46—53.
8. Беспалов, В. А. Электрофизические свойства GaAs слоев и особенности характеристик детекторов частиц высоких энергий на их основе / В. А. Беспалов, А. В. Воронцов, А. А. Горбацевич, В. И. Егоркин, Г. П. Жигальский, Э. А. Ильичев, А. В. Кулаков, Б. Г. Налбандов, В. С. Пантуев, В. И. Распутный, Ю. Н. Свешников, С. С. Шмелев // ЖТФ. − 2004. − Т. 74, № 3. − С. 28—36.
9. Owensa, A. High resolution X−ray spectroscopy using a GaAs pixel detector / A. Owensa, M. Bavdaza, A. Peacock, H. Andersson, S. Nenonen, M. Krumrey, A. Puig // Nucl. Instrum. and Methods. − 2002. − V. 479. − P. 531—534.
Language of full-text русский
Полный текст статьи Получить
Назад