Журналы →  Материалы электронной техники →  2010 →  №3 →  Назад

Эпитаксиальные слои и многослойные композиции
Название Эпитаксиальные слои Pb1−xSnxTe для приемников терагерцового излучения
Автор Белогорохов А. И., Коновалов А. А., Пархоменко Ю. Н.
Информация об авторе Белогорохов А. И., Коновалов А. А., Пархоменко Ю. Н., ОАО «Гиредмет».
Реферат
Методом жидкофазной эпитаксии получены эпитаксиальные слои Pb0,8Sn0,2Te, как нелегированные, так и легированные примесью индия. Исследованы распределения концентрации свободных носителей заряда и концентрации индия по глубине эпитаксиального слоя. Установлено, что на глубине до 15 мкм удается получить однородную по концентрации область, а меняя концентрацию индия, — изменить тип проводимости эпитаксиального слоя при температуре 77,3 К. Показано, что метод жидкофазной эпитаксии является более технологичным для воспроизводимого получения эпитаксиальных слоев с заданной концентрацией свободных носителей, в том числе для фотоприемников терагерцового диапазона.
Ключевые слова Полупроводник, теллурид свинца−олова, жидкофазная эпитаксия, концентрация свободных носителей заряда, профиль распределения индия по глубине.
Библиографический список
1. Хохлов, Д. Р. Высокочувствительные приемники терагерцового излучения на основе нового класса полупроводниковых материалов / Д. Р. Хохлов // УФН. − 2006. − Т. 176, № 9. − С. 983—987.
2. Галеева, А. Н. Фотопроводимость узкощелевых полупроводников Pb1−xSnxTe(In) в терагерцовой спектральной области / А. Н. Галеева, Л. И. Рябова, А. В. Никорич, С. Д. Ганичев, С. Н. Данилов, В. В. Бельков, Д. Р. Хохлов // Письма в ЖЭТФ. − 2010. − Т. 91, Вып. 1. − С. 37—39.
Language of full-text русский
Полный текст статьи Получить
Назад