Методом сублимационной эпитаксии полупроводниковых твердых растворов (SiC)_1−x(AlN) на подложках 6H−SiC получены гетероструктуры p−(SiC))_1−x(AlN)_x//n−6H−SiC. Представлены результаты исследований концентрационной и температурной зависимости вольт−амперных характеристик. Установлено, что вследствие наличия высоких потенциальных барьеров прямой ток обусловлен процессами туннелирования и рекомбинации носителей заряда через состояния на границе раздела.

1. Дмитриев, А. П. Расчет зонной структуры твердых растворов SiC–AlN методом псевдопотенциала / А. П. Дмитриев, Н. В. Евлахов, А. С. Фурман // ФТП. − 1996. − Т. 30, Вып. 1. − С. 106—116.
2. Сафаралиев, Г. К. Влияние параметров роста на электропроводность твердых растворов (SiC)_1−x(AlN)_x / Г. К. Сафаралиев, М. К. Курбанов, Н. В. Офицерова, Ю. М. Таиров // Изв. РАН. Неорган. матер. − 1995. − Т. 6, № 6. − С. 1—4.
3. Курбанов, М. К. Исследование гетероструктур SiC/(SiC)_1−x(AlN)_x методом вольт−фарадных характеристик / М. К. Курбанов, Б. А. Билалов, Ш. А. Нурмагомедов, Г. К. Сафаралиев // ФТП. − 2001. − Т. 35, Вып. 2. − С. 216—218.
4. Sah, S. T. Carrier generation and recombination in p−n junction and p−n junction characteristics / S. T. Sah, R. N. Noyce, W. Shockley // Proc. IRE. − 1957. − V. 45. − P. 1228—1243.
5. Лебедев, А. А. Название / А. А. Лебедев, Д. В. Давыдов, К. И. Игнатьев // ФТП. − 1996. − Т. 30, Вып. 10. − С. 1865.
6. Нурмагомедов, Ш. А. Получение и исследование эпитаксиальных слоев широкозонных твердых растворов SiC_1−xAlN_x / Ш. А. Нурмагомедов, А. Н. Пихтин, В. Н. Разбегаев, Г. К. Сафаралиев, Ю. М. Таиров, В. Ф. Цветков // Письма в ЖТФ. − 1986. − Т. 12, Вып. 17. − С. 1043—1045.
7. Давыдов, С. Ю. Об электронном сродстве политипов карбида кремния / С. Ю. Давыдов // ФТП. − 2007. − Т. 41, Вып. 6. − С. 718—721.
8. Лебедев, А. А. Исследование гетероэпитаксиальных структур {p−3C/n−6H}−SiC / А. А. Лебедев, Н. С. Савкина, А. С. Трегубова, М. П. Щеглов // Там же. − 1997. − Т. 31, Вып. 9. − С. 1083—1086.
9. Справочник по электротехническим материалам / Под ред. Ю. В. Корицкого, В. В. Пасынкова, Б. М. Тареева. − Л. : Энергоатомиздат, 1988. − Т. 3.
10. Милнс, А. Гетеропереходы и переходы металл−полупроводник / А. Милнс, Д. Фойхт. − М. : Мир, 1975.