Методом диффузного рассеяния рентгеновских лучей и просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ) изучены микродефекты (МД), образующиеся при посткристаллизационном охлаждении монокристаллов GaP. Анализ формы изодиффузных контуров позволил предложить механизм формирования МД. Согласно этому механизму, МД образуются путем ассоциации молекул (GaP)_i — межузельных МД — и вакансий галлия и фосфора (V_Ga и V_P). Дислокационные петли, наблюдаемые с помощью ПЭМ, в принципе подтверждают предлагаемый механизм образования МД. Сходство картин диффузного рассеяния для арсенида галлия, выращенного с избытком галлия, и фосфида галлия, обычно растущего с большим избытком галлия, позволяет предположить общность механизмов образования МД при выпадении избыточного катиона для всей группы соединений А^NB^8−N. Легирование серой в концентрациях до 2 ⋅ 10¹⁹ см⁻³ не меняет механизм образования межузельных МД, но, возможно, уменьшает вероятность образования вакансионных МД.

1. Бублик, В. Т. Нестехиометрия, собственные точечные дефекты и микродефекты в соединениях A^IIIB^V / В. Т. Бублик, М. Г. Мильвидский // Материаловедение. − 1997. − № 2. − С. 21−29.
2. Филатов, П. А. Изучение механизма образования микродефектов в монокристаллах GaAs, выращенных из раствора-расплава с избытком галлия / П. А. Филатов, В. Т. Бублик, А. В. Марков, К. Д. Щербачев, М. И. Воронова // Изв. вузов. Материалы электрон. техники. − 2008. − № 4. − С. 57—61.
3. Филатов, П. А. Исследование микродефектов в монокристаллах GaP и GaP(Zn), выращенных методом ЧЖГР / П. А. Филатов, В. Т. Бублик, Т. И. Маркова, К. Д. Щербачев, М. И. Воронова / Кристаллография. − 2008. − Т. 53, № 2. − С. 284—292.
4. Филатов, П. А. О политропии серы в фосфиде галлия / П. А. Филатов, В. Т. Бублик, Ю. Е. Белоусова, К. Д. Щербачев, М. И. Воронова // Изв. вузов. Материалы электрон. техники. − 2008. − № 3. − С. 34—37.
5. Бублик, В. Т. Исследование особенностей образования микродефектов в термически обработанных бездислокационных пластинах кремния большого диаметра методом диффузного рассеяния рентгеновских лучей / В. Т. Бублик, С. Ю. Мацнев, К. Д. Щербачев, М. В. Меженный, М. Г. Мильвидский, В. Я. Резник // Физика твердого тела. — 2003. − Т. 45, Вып. 10. − С. 1825—1832.
6. Кривоглаз, М. А. Дифракция рентгеновских лучей и нейтронов в неидеальных кристаллах / М.А. Кривоглаз. − Киев : Наук. думка, 1983.
7. Горюнова, Н. А. Сложные алмазоподобные полупроводники / Н. А. Горюнова. − М. : Советское радио, 1968.
8. Белоусова, Ю. Е. / Ю. Е. Белоусова, Т. И. Ольховикова, Ф. Р. Хашимов, Ю. А. Окунев // Электрон. техника. Сер. Материалы. − 1987. − Т. 226, № 8. − С. 16—20.
9. Quadbeck, P. Effect of dopant atoms on the roughness of III—V semiconductor cleavage surfaces/ P. Quadbeck, P. Ebert, K. Urban, J. Gebauer, R. Krause−Rehberg// J. Appl. Lett. − 2000. − V. 76, N 3. − P. 300—303.
10. Кристаллохимические, физико−химические и физические свойства полупроводниковых вещств. − М. : Изд−во стандартов, 1973.