Материаловедение и технология. Полупроводники | |
Название | Особенности формирования внутреннего геттера в бездислокационных пластинах кремния, легированных азотом |
Автор | Меженный М. В., Мильвидский М. Г., Резник В. Я. |
Информация об авторе | М. В. Меженный, М. Г. Мильвидский, ОАО «ГИРЕДМЕТ»; В. Я. Резник, Институт химических проблем микроэлектроники. |
Реферат | Методами оптической и просвечивающей электронной микроскопии изучены особенности дефектообразования в легированных азотом бездислокационных пластинах кремния при многоступенчатых геттерообразующих термообработках, включающих в качестве начального этапа различные варианты быстрого термического отжига (БТО). Исследованы пластины диаметром 200 мм с ориентацией (100), p−типа проводимости с удельным сопротивлением 10—12 Ом · см и содержанием азота и кислорода [N] = 1,6 · 1014 см−3 и [Oi] = (6÷7) · 1017 см−3 соответственно. Установлено, что использование стандартного режима БТО (1250 °С в течение 20 с в атмосфере аргона) хотя и позволяет сформировать в объеме пластины при последующих преципитатобразующих термообработках необходимую дефектную среду, однако не обеспечивает создание достаточно протяженного бездефектного приповерхностного слоя. Показано, что сформировать в пластинах бездефектный приповерхностный слой необходимой протяженности удалось при введении в общепринятую схему многоступенчатой термообработки дополнительного предварительного БТО в атмосфере кислорода. Проанализированы возможные причины наблюдаемых явлений. |
Ключевые слова | Бездислокационный кремний, микроскопия, быстрый термический отжиг, геттер, термообработка. |
Библиографический список | 1. Nakai, K. Oxygen precipitate behavior of nitrogen−doped CZ−Si crystals / K. Nakai, Y. Inoue, H. Yokota, J. Takahashi, K. Kitahara, A. Ikari, Y. Ohta, M. Hashebe, W. Ohashi // Proc. Kazusa Academia Park Forum on the Silicon and Technology of Silicon Materials. − Chiba (Japan), 1999. − P. 192—215. 8. Falster, R. Gettering in silicon: fundamentals and resent advances / R. Falster // Semiconductor Fabtech. − 2001. − V. 13. − P. 187—193. |
Language of full-text | русский |
Полный текст статьи | Получить |