Журналы →
Материалы электронной техники →
2010 →
№4 →
Назад
Назад
Материаловедение и технология. Полупроводники | |
Название | Применение способов гидрирования тетрахлорида кремния в технологии производства поликремния |
Автор | Иванов В. М., Трубицин Ю. В. |
Информация об авторе | В. М. Иванов, Ю. В. Трубицин, Классический приватный университет, Украина. |
Реферат | Дан анализ современного состояния производства полупроводникового поликристаллического кремния. Одним из путей снижения стоимости поликремния является утилизация тетрахлорида кремния (ТК), образующегося в производстве в качестве побочного продукта. Современные технологии предусматривают применение процесса гидрирования ТК до трихлорсилана, который рециркулируется в производство поликремния. Рассмотрено современное состояние проблемы гидрирования ТК. Проанализированы основные методы гидрирования. Сделан вывод, что в настоящее время каталитическое гидрирование является наиболее перспективным для дальнейшего исследования и промышленного применения. |
Ключевые слова | Поликремний, тетрахлорид кремния, гидрирование, трихлорсилан, степень конверсии, активация, химические восстановители, конвертер, плазмотрон, плазмохимическая реакция. |
Библиографический список | 1. Иванов, В. М. Перспективность создания замкнутого производства поликристаллического кремния / В. М. Иванов, Ю. В. Трубицин // Новi технології. - 2010. - № 1. - С. 53—58. 2. Сивошинская, Т. И. Переработка тетрахлорида кремния, образующегося в производстве полупроводникового кремния / Т. И. Сивошинская, И. В. Гранков, Ю. П. Шабалин, Л. С. Иванов — М. : ЦНИИцветмет экономики и информации, 1983. — 43 с. (Сер. Производство редких металлов и полупроводниковых материалов). 3. Дементьев, Ю. С. Исследование структуры кремниевых стержней, образующихся при водородном восстановлении его хлоридов: дисс. … канд. техн. наук. / Ю. С. Дементьев — М., 1969. 4. Трубицин, Ю. В. Изучение поведения многокомпонентной системы Si—H—Cl в процессе гидрирования тетрахлорида кремния / Ю. В. Трубицин, С. В. Зверев, С. Л. Нагорный // Складні системи і процеси. — 2002. — № 2. — С. 54—61. 5. Трубіцин, В. Ю. Моделювання й аналітично—розрахункове дослідження процесу гідрування тетрахлориду кремнію / В. Ю. Трубіцин, Д. І. Левінзон, Ю. В. Трубіцин // Новітні технології. — 2005. — № 1—2 (7—8). — С. 21—32. 6. 4th Solar Silicon Conf. April 3, 2007; M, O, C, Münich (Germany), 2007. 7. Pat. 4340574 USA, МПК С01В 33/04. Process for the production of ultrahigh purity silane with recycle from separation columns / L. M. Coleman. 20 Jul. 1982. 8. Пат. 4309259 USA, МПК С01В 33/107. High pressure plasma hydrogenation of silicon tetrachloride. 05.01.1982. Sarma K. R. 9. Корнеев, Р. А. Разработка и исследование метода синтеза трихлорсилана по реакции гидрирования тетрахлорида кремния в водородной плазме: Дисс. … канд. хим. наук. / Р. А. Корнеев — Н. Новгород, 2007. |
Language of full-text | русский |
Полный текст статьи | Получить |