Журналы →  Материалы электронной техники →  2010 →  №4 →  Назад

Материаловедение и технология. Полупроводники
Название Применение способов гидрирования тетрахлорида кремния в технологии производства поликремния
Автор Иванов В. М., Трубицин Ю. В.
Информация об авторе В. М. Иванов, Ю. В. Трубицин, Классический приватный университет, Украина.
Реферат
Дан анализ современного состояния производства полупроводникового поликристаллического кремния. Одним из путей снижения стоимости поликремния является утилизация тетрахлорида кремния (ТК), образующегося в производстве в качестве побочного продукта. Современные технологии предусматривают применение процесса гидрирования ТК до трихлорсилана, который рециркулируется в производство поликремния. Рассмотрено современное состояние проблемы гидрирования ТК. Проанализированы основные методы гидрирования. Сделан вывод, что в настоящее время каталитическое гидрирование является наиболее перспективным для дальнейшего исследования и промышленного применения.
Ключевые слова Поликремний, тетрахлорид кремния, гидрирование, трихлорсилан, степень конверсии, активация, химические восстановители, конвертер, плазмотрон, плазмохимическая реакция.
Библиографический список
1. Иванов, В. М. Перспективность создания замкнутого производства поликристаллического кремния / В. М. Иванов, Ю. В. Трубицин // Новi технології. - 2010. - № 1. - С. 53—58.
2. Сивошинская, Т. И. Переработка тетрахлорида кремния, образующегося в производстве полупроводникового кремния / Т. И. Сивошинская, И. В. Гранков, Ю. П. Шабалин, Л. С. Иванов — М. : ЦНИИцветмет экономики и информации, 1983. — 43 с. (Сер. Производство редких металлов и полупроводниковых материалов).
3. Дементьев, Ю. С. Исследование структуры кремниевых стержней, образующихся при водородном восстановлении его хлоридов: дисс. … канд. техн. наук. / Ю. С. Дементьев — М., 1969.
4. Трубицин, Ю. В. Изучение поведения многокомпонентной системы Si—H—Cl в процессе гидрирования тетрахлорида кремния / Ю. В. Трубицин, С. В. Зверев, С. Л. Нагорный // Складні системи і процеси. — 2002. — № 2. — С. 54—61.
5. Трубіцин, В. Ю. Моделювання й аналітично—розрахункове дослідження процесу гідрування тетрахлориду кремнію / В. Ю. Трубіцин, Д. І. Левінзон, Ю. В. Трубіцин // Новітні технології. — 2005. — № 1—2 (7—8). — С. 21—32.
6. 4th Solar Silicon Conf. April 3, 2007; M, O, C, Münich (Germany), 2007.
7. Pat. 4340574 USA, МПК С01В 33/04. Process for the production of ultrahigh purity silane with recycle from separation columns / L. M. Coleman. 20 Jul. 1982.
8. Пат. 4309259 USA, МПК С01В 33/107. High pressure plasma hydrogenation of silicon tetrachloride. 05.01.1982. Sarma K. R.
9. Корнеев, Р. А. Разработка и исследование метода синтеза трихлорсилана по реакции гидрирования тетрахлорида кремния в водородной плазме: Дисс. … канд. хим. наук. / Р. А. Корнеев — Н. Новгород, 2007.
Language of full-text русский
Полный текст статьи Получить
Назад