Журналы →  Материалы электронной техники →  2010 →  №4 →  Назад

Материаловедение и технология. Диэлектрики
Название Выращивание из водных растворов монокристаллов технологичной формы для устройств нелинейной оптики
Автор Портнов О. Г.
Информация об авторе О. Г. Портнов, НИТУ «МИСиС»
Реферат
Показано, что использование объема монокристаллов, выращенных из водного раствора, при изготовлении из них оптических элементов для устройств нелинейной оптики не эффективно. Это связано с тем, что такие монокристаллы имеют естественную для них огранку. Установлено, что значительно повысить эффективность использования объема монокристалла можно, только если в процессе выращивания применить одновременно с профилированием и формообразователь. Формо-образователь позволяет получить в процессе выращивания монокристалл с искусственными базовыми гранями, ориентация которых обеспечивает необходимые условия при изготовлении нелинейного оптического элемента. Эффективность использования объема монокристалла в этом случае возрастает в несколько раз.
Ключевые слова Рост монокристаллов, иодат лития, водные растворы, формообразователь.
Библиографический список
1. Блистанов, А. А. Кристаллы квантовой и нелинейной оптики / А. А. Блистанов. — М. : МИСиС, 2007. — 432 с.
2. Авдиенко, К. И. Иодат лития. Выращивание кристаллов, их свойства и применение / К. И. Авдиенко, С. В. Богданов, С. М. Архипов и др. — Новосибирск : Наука, 1980. — 146 с.
3. Гурзадян, Г. Г. Нелинейн—оптические кристаллы. Свойства и применение в квантовой электронике: Справочник / Г. Г. Гурзадян, В. Г. Дмитриев, Д. Н. Никогосян — М. : Радио и связь, 1991. — 160 с.
4. Блистанов, А. А. Выращивание профилированных монокристаллов α—LiIO3 / А. А. Блистанов, В. В. Гераськин, Н. С. Козлова, О. Г. Портнов, К. М. Розин // Изв. вузов. Материалы электрон. техники. — 2001. — № 1. — С. 42—43.
5. Пат. SU 1503346 А1. Способ выращивания кристаллов иодата лития гексагональной модификации / А. А. Блистанов, В. В. Гераськин, Н. С. Козлова, О. Г. Портнов, К. М. Розин; Опубл. 22.04.93 г.
6. Пат. RU 1605584 А2. Способ выращивания кристаллов иодата лития гексагональной модификации / А. А. Блистанов, В. В. Гераськин, Н. С. Козлова, О. Г. Портнов, К. М. Розин, Г. А. Ермаков, В. А. Мосиевский; Опубл. 22.05.95 г.
7. Пат. RU 2332529 С1. Способ выращивания профилированных монокристаллов иодата лития гексагональной модификации на затравку, размещаемую в формообразователе / О. Г. Портнов; Опубл. 27.08.2007 г.
8. Пат. RU 2398921 С1. Способ выращивания монокристаллов группы KDP на затравку, размещаемую в формообразователе / О. Г. Портнов, В. В. Антипов; Опубл. 10.09.2010 г.
Language of full-text русский
Полный текст статьи Получить
Назад