Журналы →
Материалы электронной техники →
2010 →
№4 →
Назад
Назад
Материаловедение и технология. Диэлектрики | |
Название | Выращивание из водных растворов монокристаллов технологичной формы для устройств нелинейной оптики |
Автор | Портнов О. Г. |
Информация об авторе | О. Г. Портнов, НИТУ «МИСиС» |
Реферат | Показано, что использование объема монокристаллов, выращенных из водного раствора, при изготовлении из них оптических элементов для устройств нелинейной оптики не эффективно. Это связано с тем, что такие монокристаллы имеют естественную для них огранку. Установлено, что значительно повысить эффективность использования объема монокристалла можно, только если в процессе выращивания применить одновременно с профилированием и формообразователь. Формо-образователь позволяет получить в процессе выращивания монокристалл с искусственными базовыми гранями, ориентация которых обеспечивает необходимые условия при изготовлении нелинейного оптического элемента. Эффективность использования объема монокристалла в этом случае возрастает в несколько раз. |
Ключевые слова | Рост монокристаллов, иодат лития, водные растворы, формообразователь. |
Библиографический список | 1. Блистанов, А. А. Кристаллы квантовой и нелинейной оптики / А. А. Блистанов. — М. : МИСиС, 2007. — 432 с. 2. Авдиенко, К. И. Иодат лития. Выращивание кристаллов, их свойства и применение / К. И. Авдиенко, С. В. Богданов, С. М. Архипов и др. — Новосибирск : Наука, 1980. — 146 с. 3. Гурзадян, Г. Г. Нелинейн—оптические кристаллы. Свойства и применение в квантовой электронике: Справочник / Г. Г. Гурзадян, В. Г. Дмитриев, Д. Н. Никогосян — М. : Радио и связь, 1991. — 160 с. 4. Блистанов, А. А. Выращивание профилированных монокристаллов α—LiIO3 / А. А. Блистанов, В. В. Гераськин, Н. С. Козлова, О. Г. Портнов, К. М. Розин // Изв. вузов. Материалы электрон. техники. — 2001. — № 1. — С. 42—43. 5. Пат. SU 1503346 А1. Способ выращивания кристаллов иодата лития гексагональной модификации / А. А. Блистанов, В. В. Гераськин, Н. С. Козлова, О. Г. Портнов, К. М. Розин; Опубл. 22.04.93 г. 6. Пат. RU 1605584 А2. Способ выращивания кристаллов иодата лития гексагональной модификации / А. А. Блистанов, В. В. Гераськин, Н. С. Козлова, О. Г. Портнов, К. М. Розин, Г. А. Ермаков, В. А. Мосиевский; Опубл. 22.05.95 г. 7. Пат. RU 2332529 С1. Способ выращивания профилированных монокристаллов иодата лития гексагональной модификации на затравку, размещаемую в формообразователе / О. Г. Портнов; Опубл. 27.08.2007 г. 8. Пат. RU 2398921 С1. Способ выращивания монокристаллов группы KDP на затравку, размещаемую в формообразователе / О. Г. Портнов, В. В. Антипов; Опубл. 10.09.2010 г. |
Language of full-text | русский |
Полный текст статьи | Получить |