Журналы →
Материалы электронной техники →
2010 →
№4 →
Назад
Назад
| Эпитаксиальные слои и многослойные компохиции | |
| Название | Влияние условий молекулярно–лучевого осаждения на структуру и свойства слоев кремния на сапфире |
| Автор | Павлов Д. А., Шиляев П. А., Коротков Е. В., Кривулин Н. О., Нежданов А. В., Планкина С. М., Питиримова Е. А., Ромашова М. В. |
| Информация об авторе | Д. А. Павлов, П. А. Шиляев, Е. В. Коротков, Н. О. Кривулин, А. В. Нежданов, С. М. Планкина, Е. А. Питиримова, М. В. Ромашова, Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского (ННГУ). |
| Реферат | Представлены результаты исследования влияний условий молекулярно-лучевой эпитаксии на структурное совершенство слоев кремния на сапфире (КНС), которое контролировали методами атомно-силовой микроскопии и электронографии «на отражение». Показано также, что исследование КНС методом сканирующей конфокальной спектроскопии комбинационного рассеяния света позволяет выявлять неоднородность в распределении дефектов по глубине слоев и может быть рекомендовано в качестве метода неразрушающего контроля их кристаллической структуры. Установлено, что оптимальная температура осаждения для получения совершенных слоев кремния толщиной до 500 нм составляет 700 °С. |
| Ключевые слова | Кремний на сапфире, атомно-силовая микроскопия, комбинационное рассеяние света, молекулярно-лучевая эпитаксия. |
| Библиографический список | 1. Dubbelday, W. B. Residual strain and defects in solid phase epitaxial regrown Si and SiGe on sapphire and device application / W. B. Dubbelday // Diss. … PhD in Electrical engineering. — San Diego (USA), 1998. — 165 p. 2. Twig, M. E. Elimination of microtwins in silicon on sapphire by molecular beam epitaxy / M. E. Twig, E. D. Richmond, J. G. Pellegrino // Appl. Phys. Lett. — 1989. — V. 54, N 18. — P. 1766—1768. 3. Павлов, Д. А. Формирование нанокристаллического кремния на сапфире методом молекулярно—лучевой эпитаксии / Д. А. Павлов, П. А. Шиляев, Е. В. Коротков, Н. О. Кривулин // Письма в ЖТФ. — 2010. — Т. 36, вып. 12. — С. 15—22. 4. Abrahams, M. S. Early growth of silicon on sapphire. 1. Transmission electron microscopy / M. S. Abrahams, C. J. Buiocchi, R. T. Smith, J. F. Corboy, J. Blanc, G. W. Cullen // J. Appl. Phys. — 1976. — V. 47, N 12. — P. 5139—5150. 5. Шиляев, П. А. Молекулярно—лучевое осаждение сверхтонких слоев кремния на сапфире / П. А. Шиляев, Д. А. Павлов, Е. В. Коротков, М. В. Треушников // Изв. вузов. Материалы электрон. техники. — 2008. — № 2. — С. 62—66. 6. Голубев, В. Г. Спектры рамановского рассеяния и электропроводность тонких пленок кремния со смешанным аморфно—нанокристаллическим фазовым составом: определение объемной доли нанокристаллической фазы / В. Г. Голубев, В. Ю. Давыдов, А. В. Медведев, А. Б. Певцов, Н. А. Феоктистов // Физика твердого тела. — 1997. — Т. 39, вып. 8. — С. 1348—1352. 7. Richter, H. The one phonon spectrum in microcrystalline silicon / H. Richter, Z. P. Wang, L. Ley // Solid State Commun. — 1981. — V. 39. — P. 625—629. |
| Language of full-text | русский |
| Полный текст статьи | Получить |
