Дан анализ особенностей процессов дефектообразования при термообработках в монокристаллическом кремнии, выращенном методом Чохральского и подвергнутом облучению тепловыми нейтронами при режимах, которые обычно используют при трансмутационном легировании слитков кремния. Для оценки процессов дефектообразования использован метод диффузного рассеяния рентгеновских лучей и ИК-спектроскопия. Показано, что подобное легирование приводит к изменению состояния в решетке материала таких фоновых примесей, как кислород и углерод. Причем последующий высокотемпературный отжиг обеспечивает восстановление концентрации межузельного кислорода и не приводит к восстановлению концентрации углерода в узлах решетки. Изучено влияние облучения на особенности образования кислородсодержащих микродефектов в решетке кремния при высокотемпературных отжигах, используемых для формирования внутреннего геттера в пластинах кремния.

1. Chtcherbatchev, K. D. Microdefects in semiconductor single crystals revealed by the X—ray diffuse scattering method / K. D. Chtcherbatchev, V. T. Bublik // Inst. Phys. Conf. Ser. — 1997. — V. 160. — P. 187—190.
2. Долголенко, А. П. Радиационная стойкость n— и p—Si, легированного кислородом и германием, при облучении высокоэнергетическими ядерными частицами / А. П. Долголенко, Г. П. Гайдар, М. Д. Варенцов // Вопросы атомной науки и техники. сер. Физика радиационных повреждений и радиационное материаловедение. — 2009. — Т. 93, № 2. — С. 151—157.
3. Шлимак, И. С. Нейтронное трансмутационное легирование полупроводников: наука и приложения / И. С. Шлимак // ФТТ. — 1999. — Т. 41, вып. 5. — С. 794—798.
4. Бублик, В. Т. Исследование особенностей образования микродефектов в термически обработанных бездислокационных пластинах кремния большого диаметра методом диффузного рассеяния рентгеновских лучей / В. Т. Бублик, С. Ю. Мацнев, К. Д. Щербачев, М. В. Меженный, М. Г. Мильвидский, В. Я. Резник // Физика твердого тела. — 2003. — Т. 45, вып. 10. — С. 1825—1832.
5. Мордкович, В. Н. / В. Н. Мордкович, Э. М. Темпер // Физика и техника полупроводников. — 1980. — Т. 14, № 11. — С. 2172—2177.
6. Bublik, V. T. Effect of doping and low—temperature annealing on generation of microdefects in Czochralski—grown silicon single crystals studied by X—ray diffuse scattering / V. T. Bublik, N. M. Zotov // Crystallography Rep. — 1999. — V. 44, N 4. — P. 635—639.