• Покупка статей
  • Telegram_OreMet
Скрыть↑
Журналы →  Материалы электронной техники →  2010 →  №4 →  Назад

Общие вопросы
Название Программный комплекс для анализа и расчета образования ростовых микродефектов в бездислокационных монокристаллах кремния
Автор Таланин В. И., Таланин И. Е., Устименко Н. Ф.
Информация об авторе В. И. Таланин, И. Е. Таланин, Н. Ф. Устименко, Классический приватный университет, Украина.
Реферат
В качестве виртуального экспериментального прибора для анализа и расчета образования ростовых микродефектов в нелегированных бездислокационных монокристаллах кремния предложен программный комплекс. С помощью программного комплекса, используя параметры роста (скорость роста кристалла, диаметр кристалла, температурные градиенты, скорость охлаждения), можно рассчитать характеристики процесса преципитации кислорода и углерода во время охлаждения кристалла после выращивания от температуры кристаллизации до комнатной температуры. Программный комплекс позволяет проводить анализ и расчет образования вакансионных микропор и меж узельных дислокационных петель.
Ключевые слова Кремний, ростовые микродефекты, скорость роста кристалла, осевой температурный градиент, диффузионная модель, преципитат, вакансионная микропора, межузельная дислокационная петля.
Библиографический список

1. Talanin, V. I. Formation of grown−in microdefects in dislocation−free silicon monocrystals / V. I. Talanin, I. E. Talanin // New research on semiconductors. − N. Y. : Nova Sci. Publ. Inc., 2006. − P. 31—67.
2. Prostomolotov, A. I. Simplistic approach for 2D grown−in microdefects modeling / A. I. Prostomolotov, N. A. Verezub // Phys. status solidi (c). − 2009. − V. 6, N 8. − P. 1878—1881.
3. Kulkarni, M. S. Quantification of defect dynamics in unsteady−state and steady−state Czochralski growth of monocrystalline silicon / M. S. Kulkarni, V. Voronkov, R. Falster // J. Electrochem. Soc. − 2004. − V. 151, N 5. − P. G663—G669.
4. Talanin, V. I. Kinetics of high−temperature precipitation in dislocation−free silicon single crystals / V. I. Talanin, I. E. Talanin // Phys. Solid State. − 2010. − V. 52, N 10. − P. 2063—2068.
5. Kulkarni, M. S. Simplified two−dimensional quantification of the microdefect distributions in silicon crystals grown by the Czochralski process / M. S. Kulkarni, V. V. Voronkov // High purity silicon VIII. − N. Y. : Electr. Soc., 2004. − P. 71—95.
6. Talanin, V. I. Modeling of defect formation processes in dislocation−free silicon single crystals / V. I. Talanin, I. E. Talanin // Crystallography Rep. − 2010. − V. 55, N 4. − P. 632—637.
7. Talanin, V. I. On the recombination of intrinsic point defects in dislocation−free silicon single crystals / V. I. Talanin, I. E. Talanin // Phys. Solid State. − 2007. − V. 49, N 3. − P. 467—470.
8. Talanin, V. I. Mechanism of formation and physical classification of the grown−in microdefects in semiconductor silicon / V. I. Talanin, I. E. Talanin // Defect and diffusion forum. − 2004. − V. 230—232, N 1. − P. 177—198.
9. Voronkov, V. V. Nucleation of oxide precipitates in vacancy containing silicon / V. V. Voronkov, R. J. Falster // J. Appl. Phys. − 2002. − V. 91, N 9. − P. 5802—5810.
10. Sinno, T. Point defects dynamics and the oxidation−induced stacking−faults in Czochralski−grown silicon crystals / T. Sinno, R. A. Brown, W. von Ammon, E. Dornberger // J. Electrochem. Soc. − 1998. − V. 145, N 1. − P. 302—306.
11. Talanin, V. I. Kinetis of formation of vacancy microvoids and interstitial dislocation loops in dislocation−free silicon crystals / V. I. Talanin, I. E. Talanin // Phys. Solid State. − 2010. − V. 52, N 9. − P. 1880—1886.
12. Voronkov, V. V. Mechanism of swirl defects formation in silicon / V. V. Voronkov // J. Crystal Growth. − 1982. − V. 59, N. 3. − P. 625—642.

13. Talanin, V. I. About formation of grown−in microdefects in dislocation−free silicon single crystals / V. I. Talanin, I. E. Talanin, A. A. Voronin // Can. J. Phys. − 2007. − V. 85, N 12. − P. 1459—1471.
14. von Ammon, W. Bulk properties of very large diameter silicon single crystal. / W. von Ammon, E. Dornberger, P. O. Hansson // J. Cryst. Growth. − 1999. − V. 198—199, N 1—4. − P. 390—398.
15. Talanin, V. I. Kinetis model of growth and coalescence of oxygen and carbon precipitates during cooling of as−grown silicon crystals / V. I. Talanin, I. E. Talanin // Phys. Solid State. − 2010. − V. 52, N 9. − P. 1880—1886.
16. Nakamura, K. Grown−in defects in silicon crystals / K. Nakamura, T. Saishoji, J. Tomioka // J. Cryst. Growth. − 2002. − V. 237—239, N 1. − P. 1678—1684.
17. Brown, R. A. Engineering analysis of microdefects formation during silicon crystal growth / R. A. Brown, Z. Wang, T. Mori // J. Cryst. Growth. − 2001. − V. 225, N 1. − P. 97—112.
Language of full-text русский
Полный текст статьи Получить
Назад