Results of investigations of degradation processes in quantum well matrix photodetectors in intense laser irradiation fields are presented. We show the important role of the connect layer between the photodetector matrix and the Si crystal of the LSI signal processing circuit in these processes.

1. Voytsekhovskiy, A. V. Fotoelektricheskie infrakrasnye detektory s upravlyaemoy spektral'noy kharakteristikoy / A. V. Voytsekhovskiy, S. N. Nesmelov // Vestn. Tomskogo gos. un-ta. Seriya «Fizika». - 2005. - T. 285. – S. 164—171.
2. Stafeev, V. I. Matrichnye fotopriemnye ustroystva srednego i dal'nego infrakrasnykh diapazonov na osnove fotodiodov iz Cd_xHg_1-xTe / V. I. Stafeev, K. O. Boltar', I. D. Burlakov, V. M. Akimov, E. A. Klimanov, L. D. Saginov, V. N. Solyakov, N. D. Mansvetov, V. D. Ponomarenko, A. A. Timofeev, A. M. Filachev // FTP. - 2005. - T. 39, № 10. - S. 1257—1265.
3. Kulikov, V. B. CHuvstvitel'nost' dlinnovolnovogo fotopriemnika na osnove struktur s kvantovymi yamami pri komnatnoy temperature / V. B. Kulikov, V. P. Kotov, O. F. Butyagin, O. B. CHerednichenko // Prikladnaya fizika. - 2010. - № 1. - S. 78—80.
4. Voytsekhovskiy, A. V. Model'noe predstavlenie propuskaniya moshchnogo impul'snogo lazernogo IK-izlucheniya v oblasti fundamental'nogo pogloshcheniya v epitaksial'nykh sloyakh Cd_xHg_1-xTe / A. V. Voytsekhovskiy, S. A. SHul'ga, V. G. Sredin, N. KH. Talipov // Izv. vuzov. Fizika. - 2010. - № 9. - S. 53—58.
5. Stafeev, V. I. Eksperimental'noe issledovanie opticheskoy stoykosti matritsy «smotryashchego» tipa na osnove Cd_xHg_1-xTe k vozdeystviyu lazernogo izlucheniya s dlinoy volny 10,6 mkm / V. I. Stafeev, I. D. Burlakov, K. O. Boltar', V. G. Sredin, M. V. Sakharov, S. B. Sukhovey // Izv. vuzov. Materialy elektron. tekhniki. - 2007. - № 2. - S. 31—34.
6. Sredin, V. G. Matematicheskaya model' vozdeystviya lazernogo impul'sa na mnogosloynuyu poluprovodnikovuyu fotochuvstvitel'nuyu strukturu / V. G. Sredin, M. V. Sakharov // Prikladnaya fizika. - 2011. - № 2. - S. 5—10.