Журналы →
Материалы электронной техники →
2011 →
№1 →
Назад
Назад
ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СЛОИ И МНОГОСЛОЙНЫЕ КОМПОЗИЦИИ | |
Название | Исследования матричных фотоприемников на структурах с квантовыми ямами в условиях интенсивного оптического освещения |
Автор | В. Г. Средин, М. В. Сахаров, В. Б. Куликов, Г. К. Васильев, Б. Г. Бравый |
Информация об авторе | В. Г. Средин, М. В. Сахаров, Военная академия ракетных войск стратегического назначения им. Петра Великого; В. Б. Куликов, ФГУП «Научно-исследовательский институт «Полюс» им. М. Ф. Стельмаха», АНО «Научно-инновационный центр ракетно-космических технологий»; Г. К. Васильев, Б. Г. Бравый Институт проблем химической физики РАН. |
Реферат | Представлены результаты исследований процессов деградации матричных фотоприемников на структурах с квантовыми ямами в поле интенсивного лазерного излучения. Показано, что важную роль в этих процессах играет область стыковки кристалла матрицы фотоприемников с кристаллом кремния интегральной схемы обработки сигнала.
Работа выполнена при финансовой поддержке Министерства образования и науки Российской Федерации в рамках Федеральной целевой программы «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» на 2009—2013 гг. (ГК №№ П2322 от 16.11.2009 г. и П389 от 11.05.2010 г.). |
Ключевые слова | Инфракрасные полупроводниковые матричные фотоприемники, структуры с квантовыми ямами, лазерное излучение. |
Библиографический список | 1. Войцеховский, А. В. Фотоэлектрические инфракрасные детекторы с управляемой спектральной характеристикой / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов // Вестн. Томского гос. ун-та. Серия «Физика». - 2005. - Т. 285. – С. 164—171. 2. Стафеев, В. И. Матричные фотоприемные устройства среднего и дальнего инфракрасных диапазонов на основе фотодиодов из CdxHg1-xTe / В. И. Стафеев, К. О. Болтарь, И. Д. Бурлаков, В. М. Акимов, Е. А. Климанов, Л. Д. Сагинов, В. Н. Соляков, Н. Д. Мансветов, В. Д. Пономаренко, А. А. Тимофеев, А. М. Филачев // ФТП. - 2005. - Т. 39, № 10. - С. 1257—1265. 3. Куликов, В. Б. Чувствительность длинноволнового фотоприемника на основе структур с квантовыми ямами при комнатной температуре / В. Б. Куликов, В. П. Котов, О. Ф. Бутягин, О. Б. Чередниченко // Прикладная физика. - 2010. - № 1. - С. 78—80. 4. Войцеховский, А. В. Модельное представление пропускания мощного импульсного лазерного ИК-излучения в области фундаментального поглощения в эпитаксиальных слоях CdxHg1-xTe / А. В. Войцеховский, С. А. Шульга, В. Г. Средин, Н. Х. Талипов // Изв. вузов. Физика. - 2010. - № 9. - С. 53—58. 5. Стафеев, В. И. Экспериментальное исследование оптической стойкости матрицы «смотрящего» типа на основе CdxHg1-xTe к воздействию лазерного излучения с длиной волны 10,6 мкм / В. И. Стафеев, И. Д. Бурлаков, К. О. Болтарь, В. Г. Средин, М. В. Сахаров, С. Б. Суховей // Изв. вузов. Материалы электрон. техники. - 2007. - № 2. - С. 31—34. 6. Средин, В. Г. Математическая модель воздействия лазерного импульса на многослойную полупроводниковую фоточувствительную структуру / В. Г. Средин, М. В. Сахаров // Прикладная физика. - 2011. - № 2. - С. 5—10. |
Language of full-text | русский |
Полный текст статьи | Получить |