• Acquire
Hide↑
Journals →  Материалы электронной техники →  2011 →  #1 →  Back

ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СЛОИ И МНОГОСЛОЙНЫЕ КОМПОЗИЦИИ
ArticleName Исследования матричных фотоприемников на структурах с квантовыми ямами в условиях интенсивного оптического освещения
ArticleAuthor В. Г. Средин, М. В. Сахаров, В. Б. Куликов, Г. К. Васильев, Б. Г. Бравый
ArticleAuthorData В. Г. Средин, М. В. Сахаров, Военная академия ракетных войск стратегического назначения им. Петра Великого; В. Б. Куликов, ФГУП «Научно-исследовательский институт «Полюс» им. М. Ф. Стельмаха», АНО «Научно-инновационный центр ракетно-космических технологий»; Г. К. Васильев, Б. Г. Бравый Институт проблем химической физики РАН.
Abstract
Представлены результаты исследований процессов деградации матричных фотоприемников на структурах с квантовыми ямами в поле интенсивного лазерного излучения. Показано, что важную роль в этих процессах играет область стыковки кристалла матрицы фотоприемников с кристаллом кремния интегральной схемы обработки сигнала.
Работа выполнена при финансовой поддержке Министерства образования и науки Российской Федерации в рамках Федеральной целевой программы «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» на 2009—2013 гг. (ГК №№ П2322 от 16.11.2009 г. и П389 от 11.05.2010 г.).
keywords Инфракрасные полупроводниковые матричные фотоприемники, структуры с квантовыми ямами, лазерное излучение.
References
1. Войцеховский, А. В. Фотоэлектрические инфракрасные детекторы с управляемой спектральной характеристикой / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов // Вестн. Томского гос. ун-та. Серия «Физика». - 2005. - Т. 285. – С. 164—171.
2. Стафеев, В. И. Матричные фотоприемные устройства среднего и дальнего инфракрасных диапазонов на основе фотодиодов из CdxHg1-xTe / В. И. Стафеев, К. О. Болтарь, И. Д. Бурлаков, В. М. Акимов, Е. А. Климанов, Л. Д. Сагинов, В. Н. Соляков, Н. Д. Мансветов, В. Д. Пономаренко, А. А. Тимофеев, А. М. Филачев // ФТП. - 2005. - Т. 39, № 10. - С. 1257—1265.
3. Куликов, В. Б. Чувствительность длинноволнового фотоприемника на основе структур с квантовыми ямами при комнатной температуре / В. Б. Куликов, В. П. Котов, О. Ф. Бутягин, О. Б. Чередниченко // Прикладная физика. - 2010. - № 1. - С. 78—80.
4. Войцеховский, А. В. Модельное представление пропускания мощного импульсного лазерного ИК-излучения в области фундаментального поглощения в эпитаксиальных слоях CdxHg1-xTe / А. В. Войцеховский, С. А. Шульга, В. Г. Средин, Н. Х. Талипов // Изв. вузов. Физика. - 2010. - № 9. - С. 53—58.
5. Стафеев, В. И. Экспериментальное исследование оптической стойкости матрицы «смотрящего» типа на основе CdxHg1-xTe к воздействию лазерного излучения с длиной волны 10,6 мкм / В. И. Стафеев, И. Д. Бурлаков, К. О. Болтарь, В. Г. Средин, М. В. Сахаров, С. Б. Суховей // Изв. вузов. Материалы электрон. техники. - 2007. - № 2. - С. 31—34.
6. Средин, В. Г. Математическая модель воздействия лазерного импульса на многослойную полупроводниковую фоточувствительную структуру / В. Г. Средин, М. В. Сахаров // Прикладная физика. - 2011. - № 2. - С. 5—10.
Language of full-text russian
Full content Buy
Back