Журналы →  Материалы электронной техники →  2011 →  №1 →  Назад

ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СЛОИ И МНОГОСЛОЙНЫЕ КОМПОЗИЦИИ
Название Влияние технологических параметров на однородность толщины и морфологию поверхности эпитаксиальных слоев GaN, полученных методом хлоридно–гидридной эпитаксии
Автор А. И. Белогорохов, А. А. Донсков, Л. И. Дьяконов, Ю. П. Козлова, С. С. Малахов, М. В. Меженный, Т. Г. Югова
Информация об авторе А. И. Белогорохов, А. А. Донсков, Л. И. Дьяконов, Ю. П. Козлова, С. С. Малахов, М. В. Меженный, Т. Г. Югова, ОАО «Гиредмет».
Реферат
Исследовано влияние различных технологических параметров на получение слоев нитрида галлия GaN с однородным распределением толщины и гладкой поверхностью методом хлоридно-гидридной эпитаксии в реакторе вертикального типа. В процессе исследования меняли расстояния L от патрубка ввода GaCl до подложки от 12 до 60 мм и расхода Q газа-носителя азота через источник галлия от 2 до 200 л/ч. Показано, что оба параметра оказывают существенное влияние как на профиль распределения толщины слоя по диаметру, так и на морфологию поверхности. Полученные результаты объяснены с позиции влияния L и Q на распределение концентрации галлия (III) и азота (V) в зоне осаждения GaN, что, в свою очередь, влияет на процесс зародышеобразования на поверхности подложки и на скорость роста слоя. Предложены значения параметров, обеспечивающие получение слоев с зеркально гладкой поверхностью и равномерным радиальным распределением толщины.
Ключевые слова Нитрид галлия, эпитаксиальные слои, морфология поверхности.
Библиографический список
1. Hageman, P. R. Thick GaN layers grown by hydride vapor-phase epitaxy: hetero-versus homo-epitaxy / P. R. Hageman, V. Kirilyuk, W. H. M. Corbeek, J. L. Weyhera, B. Lucznik, M. Bockowski, S. Porowski, S. Muller // J. Cryst. Growth. - 2003. - V. 255. - P. 241—249.
2. Monemar, B. Growth of thick GaN layers with hydride vapour phase epitaxy / B. Monemar, H. Larsson, C. Hemmingsson, I. G. Ivanov, D. Gogova // Ibid. - 2005. - V. 281. - P. 17—31.
3. Fujito, K. Bulk GaN crystals grown by HVPE/ K. Fujito, S. Kubo, H. Nagaoka, T. Mochizuki, H. Namita, S. Nagao // Ibid. - 2009. - V. 311. - P. 3011—3014.
4. Dam, C. E. C. Carrier gas and position effects on GaN growth in a horizontal HVPE reactor: An experimental and numerical study / C. E. C. Dam, P. R. Hageman, P. K. Larsen // Ibid. - 2005. - V. 285. - P. 31—40.
5. Dam, C. E. C. The effect of HVPE reactor geometry on GaN growth rate-experiments versus simulations / C. E. C. Dam, A. P. Grzegorczyk, P. R. Hageman, R. Dorsman, C. R. Kleijn, P. K. Larsen // Ibid. - 2004. - V. 271. - P. 192—199.
6. Sytniewski, L. J. CFD optimisation of up-flow vertical HVPE reactor for GaN growth / L. J. Sytniewski, A. A. Lapkin, S. Stepanov, W. N. Wang // Ibid. - 2008. - V. 310. - P. 3358—3365.
7. Hemmingsson, C. Modeling, optimization, and growth of GaN in a vertical halide vapor-phase epitaxy bulk reactor / C. Hemmingsson, G. Pozina, M. Heuken, B. Schineller, B. Monemar // Ibid. - 2008. - V. 310. - P. 906—910.
8. Дьяконов, Л. И. Морфологические и структурные особенности квазиподложек GaN, выращенных на сапфире методом хлоридно-гидридной эпитаксии / Л. И. Дьяконов, Ю. П. Козлова, А. В. Марков, М. В. Меженный, В. Ф. Павлов, Е. А. Петрова, Т. Г. Югова // Изв. вузов. Материалы электрон. техники. - 2008. - № 1. - С. 47—51.
9. Rouvière, J. L. Transmission electron microscopy characterization of GaN layers grown by MOCVD on sapphire / J. L. Rouvière, M. Arlery, R. Neibuher, K. H. Bachem, O. Briot // Mater. Sci. Eng. - 1997. - B. V. 43. - P. 161—166.
Language of full-text русский
Полный текст статьи Получить
Назад