Реализован бесконтактный, неразрушающий метод диагностики объемных кристаллов и эпитаксиальных слоев GaAs с различным уровнем легирования. Метод основан на измерении и обработке спектров фотомодуляционного оптического отражения — фотоотражения. Определена напряженность приповерхностного электрического поля и соответствующая ей концентрация свободных носителей заряда. Получено хорошее соответствие экспериментальных данных с результатами независимых измерений, проведенных методом Холла.

Работа выполнена при частичной финансовой поддержке Федерального агентства по науке и инновациям (госконтракт 02.740.11.0213 от 07.07.2009 г.) в рамках ФЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» на 2009—2013 годы.

1. Peters, L. Noncontact doping level determination in GaAs using photoreflectance spectroscopy / L. Peters, L. Phaneuf, L. W. Kapitan, W. M. Theis // J. Appl. Phys. − 1987. − V. 62, N 11. − P. 4558—4562.
2. Sydor, M. Photoreflectance measurements of unintentional impurity concentrations in undoped GaAs / M. Sydor, J. Angelo, W. Mitchel, T. W. Haas, M.−Y. Yen // Ibid. − 1989. −V. 66, N 1. − P. 156—160.
3. Пихтин, А. Н. Фотоотражение арсенида галлия / А. Н. Пих тин, М. Т. Тодоров // Физика и техника полупроводников. − 1993. − Т. 27, вып. 7. − С. 1139—1145.
4. Brierley, S. K. Correlation between the photoreflectance impurity peak in semi−insulating GaAs and the bulk acceptor concentration / S. K. Brierley, D. S. Lehr // J. Appl. Phys. − 1990. − V. 67, N 8. − P. 3878—3880.
5. Пихтин, А. Н. Фотоотражение полуизолирующего GaAs при ћ ω ≤ Е_g / А. Н. Пихтин, М. Т. Тодоров // Физика и техника полупроводников. − 1994. − Т. 28, вып. 6. − С. 1068—1075.
6. Комков, О. С. Определение концентрации свободных носителей заряда в сверхчистых эпитаксиальных слоях арсенида галлия методом фотоотражения / О. С. Комков, А. Н. Пихтин, Л. М. Федоров, Ю. В. Жиляев // Письма в журнал технической физики. − 2008. − Т. 34, вып. 1. − С. 81—87.
7. Komkov, O. S. Excitonic effects and Franz—Keldysh oscillations in photoreflectance of ultrapure GaAs epilayers / O. S. Komkov, G. F. Glinskii, A. N. Pikhtin, Y. K. Ramgolam // Phys. status solidi A. − 2009. − V. 206, N 5. − P. 842—846.
8. Жиляев, Ю. В. // Дисс. … д−ра физ.−мат. наук. ФТИ им. А. Ф. Иоффе АН СССР / Ю. В. Жиляев − Л., 1991.
9. Yin, X. Photoreflectance study of surface photovoltage effects at (100)GaAs surface/interfaces / X. Yin, H.−M. Chen, F. H. Pollak, Y. Chan, P. A. Montano, P. D. Kirchner, G. D. Pettit, J. M. Woodall // Appl. Phys. Lett. − 1991. − V. 58, N 3. − P. 260—262.
10. Авакянц, Л. П. // Дисс. … д−ра физ.−мат. наук. МГУ им. Ломоносова / Л. П. Авакянц − М., 2010.