Методами рентгеновской дифракции высокого разрешения, сканирующей электронной и оптической микроскопии исследовано влияние условий имплантации (доза, энергия и температура мишени) на структуру нарушенного слоя в подложках GaAs(001). Показано, что блистеринг проявляется на картах обратного пространства в виде характерных особенностей. Выдвинуто предположение, что образование дефектов, дающих такое характерное распределение диффузного рассеяния рентгеновских лучей, определяется поведением имплантированных в матрицу GaAs атомов гелия, которое зависит от двух конкурирующих процессов: образования пузырьков, заполненных газом, и диффузии атомов гелия к поверхности и в глубь подложки GaAs. Сделан вывод, что заполненные газом пузырьки меняют структуру нарушенного слоя, приводя к формированию напряженных кристаллических областей матрицы GaAs.

Работа выполнена при финансовой поддержке Программы создания и развития НИТУ «МИСиС»

1. Jalaguier, B. A. E. Transfer of 3 in GaAs film on silicon substrate by proton implantation process / B. A. E. Jalaguier, S. Pocas, J. F. Michaud, M. Zussy, A. M. Papon, M. Bruel //Electron. Lett. - 1998. - V. 34. - P. 408.
2. Nishijima, D. Suppression of blister formation and deuterium retention on tungsten surface due to mechanical polishing and helium pre-exposure / D. Nishijima, H. Iwakiri, K. Amano, M. Y. Ye, N. Ohno, K. Tokunaga, N. Yoshida, S. Takamura // Nuclear Fusion. - 2005. - V. 45. - P. 669
3. Ascheron, C. The effect of hydrogen implantation induced stress on GaP single crystals / C. Ascheron, H. Bartsch, A. Setzer, A. Schindler, P. Paufler // Nuclear Instrum. and Meth. in Phys. Res. B: Beam Interactions with Materials and Atoms. - 1987. - V. 28. - P. 350.
4. Johnson, N. M. P Defects in single-crystal silicon induced by hydrogenation / N. M. P. Johnson, F. A. Ponce, R. A. Street, R. J. Nemanich // Phys. Rev B. - 1987. —V. 35. - P. 4166.

5. www.srim.org
6. Ziegler, J. F. The Stopping and Range of Ions in Solids / J. F. Ziegler, J. P. Biersack, U. Littmark. - New York: Pergamon Press, 1985. - P. 321.
7. Webb, M. The influence of the ion implantation temperature and the dose rate on smart-cut in GaAs / M. Webb, C. Jeynes, R. Gwilliam, P. Too, A. Kozanecki, J. Domagala, A. Royle, B. Sealy // Nuclear Instrum. and Meth. in Phys. Res. B: Beam Interactions with Materials and Atoms. - 2005. - V. 240. - P. 142.
8. Webb, M. The influence of the ion implantation temperature and the flux on smart-cut in GaAs / M. Webb, C. Jeynes, R. M. Gwilliam, Z. Tabatabaian, A. Royle, B. J. Sealy //Nuclear Instrum. and Meth. in Phys. Res. B: Beam Interactions with Materials and Atoms. - 2005. - V. 237. - P. 193.
9. Shalimov, A. Defect structure of silicon crystals implanted with H₂⁺ ions / A. Shalimov, K. D. Shcherbachev, J. Bak-Misiuk, A. Misiuk //Phys. status solidi (a). - 2007. - V. 204, N 8. - P. 2638.
10. Fewster, P. X-ray Scattering From Semiconductors / P. Fewster - London: Imperial College Press, 2000. - P. 408.
11. Щербачев, К. Д. Применение трехкристальной рентгеновской дифрактометрии для исследования ионоимплантированных слоев / К. Д. Щербачев, А. В. Курипятник, В. Т. Бублик // Заводская лаборатория. - 2003. № 6. - С. 23—31.
12. Wie, C. R. Dynamical X-ray diffraction from nonuniform crystalline films: Application to X-ray rocking curve analysis / C. R. Wie, T. A. Tombrello, T. Vreeland // J. Appl. Phys. - 1986. V. 59. - P. 3743—3746.