• Покупка статей
  • Telegram_OreMet
Скрыть↑
Журналы →  Цветные металлы →  2011 →  №6 →  Назад

Магний, титан, редкие металлы, полупроводники
Название Влияние атмосферы выращивания на характеристики кристаллов TlBr. Часть 2. Электрофизические характеристики и микрокатодолюминесценция
Автор Смирнов Н. Б., Говорков А. В., Кузнецов М. С., Зараменских К. С., Лисицкий И. С.
Информация об авторе Н. Б. Смирнов, ст. науч. сотр.; А. В. Говорков, ст. науч. сотр.; М. С. Кузнецов, науч. сотр.; К. С. Зараменских, инженер-технолог 1-й катег.; И. С. Лисицкий, ст. науч. сотр., e-mail: gradan@mail.ru, ОАО «Гиредмет» ГНЦ РФ.
Реферат

В работе изучено влияние атмосферы выращивания на электрофизические характеристики и микро-катодолюминесценцию (МКЛ) кристаллов TlBr — материала для создания неохлаждаемых полупроводниковых детекторов Х- и γ-излучений. Образцы были выращены методом Бриджмена-Стокбаргера на воздухе, в вакууме, бромирующей атмосфере и аргоне. Результаты измерений показывают, что среда роста существенно влияет на спектры МКЛ и спектры глубоких уровней кристаллов TlBr. В то же время положение уровня Ферми и темновая проводимость изменяются очень слабо. Кристалл, выращенный с небольшой добавкой брома (1013,25 Па), обладал самым высоким удельным сопротивлением и совершенством структуры. Выращивание в вакууме приводит к ухудшению всех характеристик кристаллов: их отличают наименьшее удельное сопротивление, наибольшие сигналы в спектрах термостимулированного тока и токовой релаксационной спектроскопии глубоких уровней (позволяющие предположить наличие высокой концентрации глубоких уровней), отсутствие непрямого экситона и слабый прямой экситон при МКЛ-исследованиях.
Ключевые слова Технология выращивания, кристаллы TlBr, микрокатодолюминесценция, глубокие уровни, токовая релаксационная спектроскопия, среда выращивания, аргон, бром, вакуум, воздух.
Библиографический список

1. Кузнецов М. С., Зараменских К. С., Лисицкий И. С. Влияние атмосферы выращивания на характеристики кристаллов TlBr. Часть 1. Спектральное пропускание и светорассеяние // Цветные металлы. 2011. № 4. С. 81-84.
2. Лисицкий И. С., Голованов В. Ф., Кузнецов М. С., Полякова Г. В. Макроскопические дефекты монокристаллов галогенидов таллия, выращенных из расплава методом Стокбаргера // Цветные металлы. 2004. № 2. С. 81-84.
3. Kouznetsov M. S., Lisitskiy I. S., Zatoloka S. I., Gostilo V. V. Development of the technology for growing TlBr detector crystals // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A : Accelerators, Spectrometers, Detectors & Associated Equipment. 2004. P. 174-180.
4. Polyakov A. Y., Smirnov N. B., Govorkov A. V., Redwing J. M. Deep Traps in High Resistivity AlGaN Films // Solid-State Electr. 1998. Vol. 42, N 5. P. 831-838.
5. Shimizu R., Koda T., Murahashi T. Luminescence of direct- and indirect-gap electron-hole plasma in TlBr // J. of the Physical Society of Japan. 1974. Vol. 36, N 1. P. 161-168.
6. Bube R. H. Photoconductivity of Solids. — N.Y., London, 1960. Ch. 11.
Language of full-text русский
Полный текст статьи Получить
Назад