Журналы →  Материалы электронной техники →  2011 →  №2 →  Назад

МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ И ТЕХНОЛОГИЯ. ПОЛУПРОВОДНИКИ
Название Структура и электронное строение поверхностных слоев пластин кремния после обработки в низкоэнергетической плазме водорода и аргона
Автор С. Ю. Турищев, В. А. Терехов, Е. В. Паринова, А. В. Мазаник, О. В. Королик, А. К. Федотов, И. В. Ивашкевич, Н. И. Стасько
Информация об авторе С. Ю. Турищев, В. А. Терехов, Е. В. Паринова, Воронежский государственный университет; А. В. Мазаник, О. В. Королик, А. К. Федотов, Белорусский государственный университет, Беларусь; И. В. Ивашкевич, Н. И. Стаськов, Могилевский государственный университет им. А. А. Кулешова, Беларусь.
Реферат

Методами ультрамягкой рентгеновской спектроскопии, в том числе с использованием синхротронного излучения, а также спектральной эллипсометрии проведены исследования электронного строения и структуры поверхностных слоев пластин монокристаллического кремния, подвергнутых низкоэнергетической ионно−плазменной обработке в атмосфере водорода и аргона. Показано, что в результате такой обработки формируются поверхностные слои оксида кремния с толщиной больше толщины естественного оксида. При этом поверхностные (несколько нанометров) слои пластин содержат «элементарный» кремний в разупорядоченном (аморфном) состоянии. Сделано предположение о возможной кластеризации поверхностных слоев как результате обработки в плазме.

Работа выполнена при поддержке ФЦП «Научные и научно−педагогические кадры инновационной России» на 2009—2013 годы и ГКПНИ «Фотоника» Республики Беларусь.
Работа частично выполнена в Центре синхротронного излучения Университета Висконсин — Мэдисон (The Synchrotron Radiation Center, University Of Wisconsin — Madison), который поддерживается NSF (грант Тo. DMR−0537588).

Ключевые слова Электронное строение, кремний, обработка в плазме, ультрамягкая рентгеновская спектроскопия.
Библиографический список

1. Saad, A. M. Influence of low−temperature argon ion−beam treatment on the photovoltage spectra of standard Cz−Si wafers / A. M. Saad, O. V. Zinchuk, N. A. Drozdov, A. K. Fedotov, A. V. Mazanik // Solid State Phenomena. − 2008. − V. 131–133. − P. 333—338.

2. Zinchuk, O. Effect of the hydrogen and argon ion−beam treatments on the structural and electrical properties of Cz−Si wafers: Comparative study / O. Zinchuk, N. Drozdov, A. Fedotov, A. Mazanik, N. Krekotsen, V. Ukhov, J. Partyka, P. Wegierek, T. Koltunowicz // Vacuum. − 2009. − V. 83. − P. 99—102.
3. The stopping and range of ions in matter. Particle interactions with matter // http://www.srim.org/SRIM/SRIM2011.htm.
4. Зимкина, Т. М. Ультрамягкая рентгеновская спектроскопия / Т. М. Зимкина, В. А. Фомичев − Л. : Изд−во ЛГУ, 1971. − 132 c.
5. Домашевская, Э. П. Синхротронные исследования особенностей электронно−энергетического спектра кремниевых структур / Э. П. Домашевская, В. А. Терехов, В. М. Кашкаров, Э. Ю. Мануковский, С. Ю. Турищев, С. Л. Молодцов, Д. В. Вялых, А. Ф. Хохлов, А. И. Машин, В. Г. Шенгуров, С. П. Светлов, В. Ю. Чалков // ФТТ. − 2004. − Т. 46. − С. 335—340.
6. Kasrai, M. Sampling depth of total electron and fluorescence measurements in Si L− and K−edge absorption spectroscopy / M. Kasrai, W. N. Lennard, R. W. Brunner, G. M. Bancroft, J. A. Bardwell, K. H. Tan // Appl. Surf. Sci. − 1996. − V. 99. − P. 300—302.
7. Wang, K.−W. Ion implantation of Si by 12C, 29Si, and 120Sn: Amorphization and annealing effects / K.−W. Wang, W. G. Spitzer, G. K. Hubler, D. K. Sadana // J. Appl. Phys. − 1985. − V. 58. − P. 4553—4564.
8. Prussin, S. Formation of amorphous layers by ion implantation / S. Prussin, D. I. Margolese, R. N. Tauber // Ibid. − 1985. − V. 57. − P. 180—185.
9. Мосс, Т. Полупроводниковая оптоэлектроника / Т. Мосс, Г. Баррел, Б. Эллис − М. : Мир, 1976. − 432 с.
10. Terekhov, V. A. XANES, USXES and XPS investigations of electron energy and atomic structure peculiarities of the silicon suboxide thin film surface layers containing Si nanocrystals / V. A. Terekhov, S. Yu. Turishchev, K. N. Pankov, I. E. Zanin, E. P. Domashevskaya, D. I. Tetelbaum, A. N. Mikhailov, A. I. Belov, D. E. Nikolichev, S.Yu. Zubkov // Surface and Interface Analysis. − 2010. − V. 42. − P. 891—896.
11. Watanabe, M. Studies of multilayer structure in depth direction by soft X−ray spectroscopy / M. Watanabe, T. Ejima, N. Miyata, T. Imazono, M. Yanagihara // Nuclear Sci. and Techn. − 2006. − V. 17, N 5. − P. 257—267.

Language of full-text русский
Полный текст статьи Получить
Назад