Журналы →  Материалы электронной техники →  2011 →  №2 →  Назад

МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ И МАТЕРИАЛОВ
Название Диффузия фосфора в германии на границе наногетероструктуры InGaP/Ge
Автор С. П. Кобелева, Д. А. Кузьмин, С. Ю. Юрчук, В. Н. Мурашев, И. М. Анфимов, И. В. Щемеров, Б. В. Жалнин
Информация об авторе С. П. Кобелева, Д. А. Кузьмин, С. Ю. Юрчук, В. Н. Мурашев, И. М. Анфимов, И. В. Щемеров, НИТУ«МИСиС»; Б. В. Жалнин, НПО «Квант».
Реферат

Проведены расчеты диффузионных профилей фосфора в германии для различных моделей, в том числе учитывающих влияние многозарядных вакансий и полевых эффектов. Результаты расчетов диффузионных профилей сопоставлены с экспериментальными значениями глубины залегания pn-перехода в однокаскадном солнечном элементе на основе структуры InGaP/Ge. Показано, что существующие модели можно использовать для данного типа структур только как оценочные, для более точных расчетов диффузионных профилей необходимо уточнение диффузионной модели фосфора в германии применительно к условиям создания гетероструктуры.

Работа проведена при поддержке ФЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» на 2009—2013 годы.

Ключевые слова Диффузия фосфора в германии, коэффициент диффузии, многокаскадные солнечные элементы.
Библиографический список

1. Минтаиров, С. А. Исследование диффузионных длин неосновных носителей заряда в фотоактивных слоях многопереходных солнечных элементов / С. А. Минтаиров, В. М. Андреев, В. М. Емельянов, Н. А. Калюжный, Н. К. Тимошина, М. З. Шварц, В. М. Лантратов // ФТП. - 2010. - Т. 44, вып. 8. - С. 1118—1123.
2. Karm, N. H. Future technology pathways of terrestrial III—V multijunction solar cells for concentrator photovoltaic systems / N. H. Karm // Solar Energy Materials and Solar Cells. - 2010. - V. 94, Iss. 8. - P. 1314—1318.
3. Janke, C. Ab initio investigation of phosphorus diffusion paths in germanium / C. Janke, R. Jones, S. Öberg, P. R. Briddon // Physical Rev. B. - 2008. - V. 77. - P. 195210.
4. Brotzmann, S. Intrinsic and extrinsic diffusion of phosphorus, arsenic and antimony in germanium / S. Brotzmann, H. Bracht // J. Appl. Phys. - 2008. - V. 103. - P. 033508.
5. Bracht, H. Diffusion and doping issues in germanium / H. Bracht, S. Schneider, R. Kube // Microelectronic Engi. - 2010. - V. 88, Iss. 4. - P. 452—457.
6. Canneaux, T. Modeling of phosphorus diffusion in Ge accounting for a cubic dependence of the diffusivity with the electron concentration / T. Canneaux, D. Mathiot, J. -P. Ponpon, Y. Leroy // Thin Solid Films. - 2010. - V. 518. - P. 2394—2397.
7. Маллер, Р. Элементы интегральных схем / Р. Маллер, Т. Кейминс - М. : Мир, 1989. - 630 с.
8. Болтакс, Б. И. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках / Б. И. Болтакс - Л. : Наука, 1972. - 384 с.
9. МОП-СБИС: Моделирование элементов и технологических процессов / Под. ред. П. Антонетти, Д. Антониадиса, Р. Даттона, У. Оулдхема. - М. : Радио и связь, 1988. - 496 с.
10. Самарский, А. А. Введение в численные методы / А. А. Самарский. - СПб. : Лань, 2005.

Language of full-text русский
Полный текст статьи Получить
Назад