Материаловедение и технология. Полупроводники | |
ArticleName | Разработка основ капельного метода формирования массивов квантовых точек в системе InAs/GaAs применительно к условиям МОС−гидридной эпитаксии |
ArticleAuthor | Р. Х. Акчурин, И. А. Богинская, А. А. Мармалюк, М. А. Ладугин, М. А. Сурнина |
ArticleAuthorData | Р. Х. Акчурин, И. А. Богинская, МИТХТ им. М. В. Ломоносова; А. А. Мармалюк, М. А. Ладугин, ООО «Сигм Плюс», М. А. Сурнина, МИТХТ им. М. В. Ломоносова. |
Abstract | Проведены исследования начальной стадии процесса формирования квантовых точек в системе InAs/GaAs капельным методом. Представлены результаты изучения влияния режимов МОС-гидридной эпитаксии на размеры и плотность массива наноразмерных капель индия на подложке GaAs(100). Показана возможность использования процесса испарения индия для управления размерами осажденных капель. Выбран рациональный диапазон температур термообработки (300—400 оС), базирующийся на произведенной расчетной оценке скорости испарения индия и температурной зависимости краевого угла смачивания подложки. На основе расчета гетерогенных равновесий в системе In—Ga—As показано, что в указанном температурном диапазоне изменение состава осажденных капель в результате возможного подрастворения подложки крайне незначительно. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант № 11-02-00336-а). |
keywords | Гетероструктуры InAs/GaAs, квантовые точки, МОС-гидридная эпитаксия, капельный метод. |
References | 1. Koguchi, N. New MBE growth method for InSb quantum well boxes / N. Koguchi, S. Takahashi, T. Chikyow // J. Cryst. Growth. − 1991. − V. 111. − P. 688—692. 12. Акчурин, Р. Х. Капельный метод формирования массивов квантовых точек в системе InAs/GaAs в условиях МОС−гидридной эпитаксии / Р. Х. Акчурин, И. А. Богинская, Н. Т. Вагапова, А. А. Мармалюк, М. А. Ладугин, М. А. Сурнина // Тез. докл. XIV Национальной конф. по росту кристаллов «НКРК−2010». − М. : ИК РАН, 2010. − Т. 2. − С. 95. 15. Крапухин, В. В. Технология материалов электронной техники / В. В. Крапухин, И. А. Соколов, Г. Д. Кузнецов. − М. : МИСИС, 1995. − 440 c. |
Language of full-text | russian |
Full content | Buy |