Журналы →  Материалы электронной техники →  2011 →  №4 →  Назад

МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ И ТЕХНОЛОГИЯ. ДИЭЛЕКТРИКИ
Название Анализ особенностей формирования монокристалла иодата лития при выращивании его на плоской затравке
Автор О. Г. Портнов, Д. Г. Харламов
Информация об авторе

ФГАОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»

О. Г. Портнов, Д. Г. Харламов

Реферат

Представлены результаты исследования особенностей формирования монокристалла иодата лития (α−LiIO3) пирамидами роста граней его простых форм при выращивании монокристалла на плоской затравке (Z−срез). Изучены монокристаллы, выращенные из кислых (pH = 2) маточных растворов при изотермическом испарении растворителя и дозированном отборе конденсата. При исследованиях использован эффект декорирования растущего монокристалла катионными микропримесями. Это позволило визуализировать расположение пирамид роста граней {1010} и {1011} относительно друг друга в монокристаллах. Методом селективного травления на поверхности Z−среза выявлены особенности секториальной и зонарной неоднородности монокристаллов, выращенных из сырья разной квалификации по чистоте. Обнаружены полосы зонарной неоднородности в пирамидах роста граней {1010} и на Z−срезе монокристалла выявлена сложная структура секториальных границ, которые объясняются зонарной примесной неоднородностью, возникающей при микроколебаниях скорости роста монокристалла.

Авторы благодарны доц. В. В. Антипову и с.н.с. О. М. Кугаенко за ценные замечания и рекомендации.

Ключевые слова Иодат лития, монокристалл, пирамиды роста
Библиографический список

1. Авдиенко, К. И. Иодат лития. Выращивание кристаллов, их свойства и применение / К. И. Авдиенко, С. В. Богданов, С. М. Архипов. − Новосибирск: Наука, 1980. − 146 с.
2. Блистанов, А. А. Кристаллы квантовой и нелинейной оптики / А. А. Блистанов. − М.: МИСиС, 2007. − 432 с.
3. Локшин, Э. П. Выращивание и свойства монокристаллов α−LiIO3 / Э. П. Локшин // Кристаллография. − 1998. − Т. 43, № 4. − С. 761—766.
4. Портнов, О. Г. Предростовая глубокая кристаллизационная очистка маточного раствора для выращивания монокристаллов α−LiIO3 / О. Г. Портнов, К. М. Розин, Л. В. Васильева // Неорган. материалы. − 2008. − Т. 44, № 4. − С. 1—3.
5. Блистанов, А. А. Выращивание профилированных кристаллов α−LiIO3 / А. А. Блистанов, В. В. Гераськин, Н. С. Козлова, О. Г. Портнов, К. М. Розин // Изв. вузов. Материалы электрон. техники. − 2001. − № 2. − С. 42—43.
6. Пат. SU 1503346 А1. Способ выращивания кристаллов иодата лития гексагональной модификации / А. А. Блистанов, В. В. Гераськин, Н. С. Козлова, О. Г. Портнов, К. М. Розин; Опубл. 22.04.93 г.

7. Пат. RU 1605584 А2. Способ выращивания кристаллов иодата лития гексагональной модификации / А. А. Блистанов, В. В. Гераськин, Н. С. Козлова, О. Г. Портнов, К. М. Розин, Г. А. Ермаков, В. А. Мосиевский; Опубл. 22.05.95 г.
8. Пат. RU 2332529 С1. Способ выращивания профилированных монокристаллов иодата лития гексагональной модификации на затравку, размещаемую в формообразователе / О. Г. Портнов; Опубл. 27.08.2007 г.
9. Розин, К. М. Теоретический анализ степени однородности монокристаллов, выращенных из растворов. / К. М. Розин, О. Г. Портнов // Неорган. материалы. − 2008. − Т. 44, № 2. − С. 238—241.
10. Леммлейн, Г. Г. Морфология и генезис кристаллов / Г. Г. Леммлейн. − М. : Наука, 1973. − 328 с.
11. Розин, К. М. Микропримеси в монокристаллах гексагонального иодата лития. / К. М. Розин, Л. В. Васильева, О. Г. Портнов // Неорган. материалы. − 1988. − Т. 24, № 5. − С. 843—847.
12. Розин, К. М. Исследование примесной неоднородности монокристаллов гексагонального иодата лития, выращенного из водного раствора. / К. М. Розин, О. Г. Портнов, Л. В. Васильева, Н. С. Козлова, В. В. Гераськин // Изв. вузов. Материалы электрон. техники. − 2001. − № 1. − С. 23—27.
13. Сангвал, К. Травление кристаллов: теория, эксперимент, применение / К. Сангвал. − М.: Мир, 1990. − 492 с.
14. Атрощенко, Л. В. Особенности травления монокристаллов иодата лития. / Л. В. Атрощенко, Я. А. Обуховский, И. В. Ходсева // Кристаллография. − 1977. − Т. 22, № 2. − С. 414—416.

Language of full-text русский
Полный текст статьи Получить
Назад