ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СЛОИ И МНОГОСЛОЙНЫЕ КОМПОЗИЦИИ | |
Название | Способ определения состоянияповерхности раздела кремний—сапфир в тонких слоях кремний–на–сапфире |
Автор | C. В. Тихов, Д. А. Павлов, Н. О. Кривулин |
Информация об авторе | Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского C. В. Тихов, Д. А. Павлов, Н. О. Кривулин |
Реферат | Предложен простой способ определения состояния поверхности раздела кремний—сапфир в тонких слоях кремний−на−сапфире, основанный на измерениях фотоЭДС насыщения и вольт−амперных характеристик в диодных структурах Au/Si. Показано, что в слоях кремний−на−сапфире, полученных методом низкотемпературной молекулярно−лучевой эпитаксии, на границе кремний—сапфир образуется слой р−типа проводимости. Работа выполнена при финансовой поддержке Рособразования (грант РНП 2.1.1.36/26). |
Ключевые слова | Кремний−на−сапфире, диодная структура, эффект поля, фотоЭДС |
Библиографический список | 1. Папков, В. С. Эпитаксиальные кремниевые слои на диэлектрических подложках и приборы на их основе / В. С. Папков, М. В. Цыбульников. − М. : Энергия, 1979. − 88 с. |
Language of full-text | русский |
Полный текст статьи | Получить |