Библиографический список |
1. Destefanis, G. L. Electrical doping of HgCdTe by ion implantation and heat treatment / G. L. Destefanis // J. Cryst. Growth. − 1988. − V. 86. − P. 700—722. 2. Pitcher, P. G. Formation of shallow photodiodes by implantation of boron into mercury cadmium telluride / P. G. Pitcher, P. L. F. Hemment, Q. V. Davis // Electronics Lett. − 1982. − V. 18, N 25. − P. 1090—1092. 3. Wu, T. B. Activation of boron implanted in Hg0.7Cd0.3Te by high−temperuter annealing / T. B. Wu, K. Y. Lam, C. D. Chaing, J. Gong, S. J. Yang // J. Appl. Phys. − 1988. − V. 63, N 10. − P. 4983—4988. 4. Talipov, N. Kh. Electrical activation of boron implanted in p−HgCdTe (x = 0,22) by low−temperature annealing under an anodic oxide / N. Kh. Talipov, V. N. Ovsyuk, V. G. Remesnik, V. V. Vasilyev // Mater. Sci. and Eng. B. − 1997. − V. 44. − P. 266—269. 5. Овсюк, В. Н. Матричные фотоприемные устройства инфракрасного диапазона / В. Н. Овсюк, Г. Л. Курышев, Ю. Г. Сидоров − Новосибирск: Наука, 2001. − 376 с. 6. Войцеховский, А. В. Радиационное дефектообразование в варизонных эпитаксиальных структурах CdxHg1−xTe при ионной имплантации / А. В. Войцеховский, Д. В. Григорьев, А. Г. Коротаев, А. П. Коханенко, Н. Х. Талипов // Изв. вузов. Материалы электрон. техники. − 2007. − № 2. − С. 35—40. 7. Войцеховский, А. В. Ионная имплантация в гетероэпитаксиальный CdxHg1−xTe, выращенный методом молекулярно−лучевой эпитаксии / А. В. Войцеховский, Д. В. Григорьев, Н. Х. Талипов // Изв. вузов. Физика. − 2008. − Т. 51, № 10. − С. 3—18. 8. Bubulac, L. O. Role of junction formation in ion−implanted HgCdTe / L. O. Bubulac, W. E. Tennant // Appl. Phys. Lett. − 1987. − V. 51, N 5. − P. 355—357. 9. Bubulac, L. O. Defects diffusion and activation in ion implanted HgCdTe / L. O. Bubulac // J. Cryst. Growth. − 1988. − V. 86. − P. 7723—734. 10. Manchanda, Rachna. Evaluation of B+−implanted n+−n−p HgCdTe structures using transient microwave reflectance / Rachna Manchanda, R. Pal, A. Malik, R. S. Saxena, O. P. Thakur, R. K. Sharma // J. Appl. Phys. − 2009. − V. 106, N 5. − P. 056103−1−056103−3. 11. Manchanda, Rachna. Be ion irradiation induced p− to n−type conversion in HgCdTe / Rachna Manchanda, R. K. Sharma, A. Malik, R. Pal, Anuradha Dhaul, M. B. Dutt, P. K. Basu // Ibid. − 2007. − V. 101, N 11. − P. 116102−1−116102−3. 12. Aquirre, M. H. Transmission electron microscopy of the induced damage by argon implantation in (111) HgCdTe at room temperature / M. H. Aquirre, H. R. Canera, N. E. Walsöe de Reca // Ibid. − 2002. − V. 92, N 10. − P. 5745—5748. 13. Uedono, Akira. Defects and their annealing properties in B+−implanted Hg0.78Cd0.22Te studied by positron annihilation / Akira Uedono, Hiroji Ebe, Masahiro Tanaka, Shoichiro Tanigawa, Kosaku Yamamoto, Yoshihiro Miyamoto // Jap. J. Appl. Phys. − 1998. − V. 37, N 3A. − P. 786—791. 14. Uedono, Akira. Defects in ion implanted Hg0,78Cd0,22Te probed by monoenergetic positron beams / Akira Uedono, Hiroji Ebe, Masahiro Tanaka, Rvoichi Suzuki, Toshiyuki Ohdaira, Shoichiro Tanigawa, Tomohisa Mikado, Kosaku Yamamoto, Yoshihiro Miyamoto // Ibid. − 1998. − V. 37, N 7. − P. 3910—3914. 15. Voitsekhovskii, A. V. A model for the prediction of radiation defect profiles in the semiconductor target (HgCdTe) subjected to high power short pulsed ion beams / A. V. Voitsekhovskii, A. P. Kokhanenko, S. A. Shulga, R. Smith // Nuclear Instrum. and Meth. in Phys. Res. B: Beam Interactions with Materials and Atoms. − 2005. − V. 227, N 4. − P. 531—544. 16. Буренков, А. Ф. Пространственные распределения энергии, выделенной в каскаде атомных столкновений в твердых телах / А. Ф. Буренков, Ф. Ф. Комаров, М. А. Кумахов, М. М. Темкин − М., 1985. − 248 c. 17. Войцеховский, А. В. Профили распределения дефектов в варизонных слоях гетероэпитаксиальных структур p−HgCdTe при ионно−лучевом травлении / А. В. Войцеховский, В. С. Волков, Д. В. Григорьев, И. И. Ижнин, А. Г. Коротаев, А. П. Коханенко, М. Посяцк, В. Г. Средин, Н. Х. Талипов // Изв. вузов. Физика. − 2008. − Т. 51, № 9. − С. 51—56. 18. Овсюк, В. Н. Особенности распределения донорных центров в кристаллах CdxHg1−xTe p−типа при низкотемпературной ионной имплантации / В. Н. Овсюк, Н. Х. Талипов // Прикладная физика. − 2003. − № 5. − С. 87—92. |