НАНОМАТЕРИАЛЫ И НАНОТЕХНОЛОГИЯ | |
Название | Квантовые кольца SiGe на поверхности Si(100) |
Автор | П. А. Кучинская, В. А. Зиновьев, А. В. Ненашев, В. А. Армбристер, В. А. Володин, А. В. Двуреченский |
Информация об авторе | Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН П. А. Кучинская, В. А. Зиновьев, В. А. Армбристер
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирский государственный университет А. В. Ненашев, В. А. Володин, А. В. Двуреченский |
Реферат | Представлены результаты экспериментального исследования формирования методом молекулярно−лучевой эпитаксии SiGe−колец нанометрового размера на поверхности Si(100). Детальная форма и распределение по размерам выращенных наноколец исследованы методом атомно−силовой микроскопии. Элементный состав определен методом комбинационного рассеяния света. Среднее содержание германия в нанокольцах составило 37 % для температуры формирования 680 °С. Полученные данные о геометрии и составе сформированных наноструктур использованы при проведении расчета 6−зонным k × р−методом энергетического спектра и распределения плотности заряда дырочных состояний, локализованных на квантовых кольцах SiGe, встроенных в Si−матрицу. Показано, что гетероструктуры с квантовыми SiGe−кольцами являются перспективными объектами для создания устройств, способных детектировать электромагнитное излучение в терагерцовом и инфракрасном диапазоне длин волн. Работа выполнена при финансовой поддержке СО РАН (проект № 146 «Наноструктуры с Ge/Si квантовыми точками и кольцами для детектирования терагерцового излучения»). |
Ключевые слова | Германий, кремний, гетероструктуры, квантовые кольца, терагерцовое излучение |
Библиографический список | 1. Lorke, A. Spectroscopy of nanoscopic semiconductor rings / A. Lorke, R. J. Luyken, A. O. Govorov, J. P. Kotthaus, J. M. Garcia, P. M. Petroff // Phys. Rev. Lett. − 2000. − V. 84. − Р. 2223—2226. 14. Shchukin, V. A. Spontaneous ordering of arrays of coherent strained islands / V. A. Shchukin, N. N. Ledentsov, P. S. Kop’ev, D. Bimberg // Phys. Rev. Lett. − 1995. − V. 75, N 16. − P. 2968. |
Language of full-text | русский |
Полный текст статьи | Получить |