Журналы →  Материалы электронной техники →  2011 →  №4 →  Назад

ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА И МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЙ
Название Изучение закономерностей формирования и влияния структуры на свойства термоэлектрических материалов на основе халькогенидов Bi и Sb, полученных методом вертикальной направленной кристаллизации
Автор К. В. Гочуа
Информация об авторе

ФГАОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»

К. В. Гочуа

Реферат

Отработаны технологические условия, которые позволяют получать достаточно однородные слитки термоэлектрических материалов (ТЭМ) большого диаметра (30 мм) с благоприятной для реализации электрофизических свойств текстурой, характерной для ромбоэдрической кристаллической решетки. Показано, что в четырехкомпонентных твердых растворах Bi1Sb1Te3−xSex p−типа проводимости, полученных методом вертикальной направленной кристаллизации без добавления избыточного теллура, получается благоприятная для реализации электрофизических свойств текстура, при которой плоскости спайности отклонены от оси слитка на 5°.

Работа выполнена при финансовой поддержке Министерства образования и науки Российской Федерации (г.к. 16.552.11.7009).
Исследования проведены на оборудовании центра коллективного пользования «Материаловедение и металлургия» НИТУ «МИСиС».

Ключевые слова Теллурид висмута, термоэлектрические свойства, структура, текстура, эффективность, избыточный теллур, вертикальная направленная кристаллизация
Библиографический список

1. Drabkin, I. A. Optimization of thermoelectric generator with segmented elements / I. A. Drabkin, L. B. Ershova, K. V. Gochua // Proc. of the 6th Europ. Conf. on Thermoelectrics. − Paris (France), 2008. − P. 2−31−1.
2. Maronchuk, I. I. Growth of crystals of thermoelectric materials based on Bi and Sb chalkogenides by the method of vertical directed crystallization / I. I. Maronchuk, V. B. Osvensky, V. V. Rakov, V. T. Bublik, T. B. Sagalova, N. Yu. Tabachkova // Proc. of the 5th Internat. Conf. on Single Crystal Growth and Heat and Mass Transfer. − Obninsk, 2001. − V. 2. − P. 506—510.
3. Гольцман, Б. М. Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе Bi2Te3 / Б. М. Гольцман, В. В. Кудинов, И. А. Смирнов. − М. : Наука, 1972. − 320 с.

Language of full-text русский
Полный текст статьи Получить
Назад