ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА И МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЙ | |
Название | Изучение закономерностей формирования и влияния структуры на свойства термоэлектрических материалов на основе халькогенидов Bi и Sb, полученных методом вертикальной направленной кристаллизации |
Автор | К. В. Гочуа |
Информация об авторе | ФГАОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС» К. В. Гочуа |
Реферат | Отработаны технологические условия, которые позволяют получать достаточно однородные слитки термоэлектрических материалов (ТЭМ) большого диаметра (30 мм) с благоприятной для реализации электрофизических свойств текстурой, характерной для ромбоэдрической кристаллической решетки. Показано, что в четырехкомпонентных твердых растворах Bi1Sb1Te3−xSex p−типа проводимости, полученных методом вертикальной направленной кристаллизации без добавления избыточного теллура, получается благоприятная для реализации электрофизических свойств текстура, при которой плоскости спайности отклонены от оси слитка на 5°. Работа выполнена при финансовой поддержке Министерства образования и науки Российской Федерации (г.к. 16.552.11.7009). |
Ключевые слова | Теллурид висмута, термоэлектрические свойства, структура, текстура, эффективность, избыточный теллур, вертикальная направленная кристаллизация |
Библиографический список | 1. Drabkin, I. A. Optimization of thermoelectric generator with segmented elements / I. A. Drabkin, L. B. Ershova, K. V. Gochua // Proc. of the 6th Europ. Conf. on Thermoelectrics. − Paris (France), 2008. − P. 2−31−1. |
Language of full-text | русский |
Полный текст статьи | Получить |