University of Nizhniy Novgorod

S. V. Tikhov, D. A. Pavlov, N. O. Krivulin

We suggested the easy detection method of of silicon−sapphire interface state in silicon on sapphire thin layers. This method base on photo−e.m.f. satiation measurements and volt−current characteristic in Au/Si diode structure. It is shown that in silicon on sapphire layers that have been obtained by low temperature molecular beam epitaxy in the silicon−sapphire interface layer of p−type conductivity forms.

1. Papkov, V. S. Epitaksial'nye kremnievye sloi na dielektricheskikh podlozhkakh i pribory na ikh osnove / V. S. Papkov, M. V. Tsybul'nikov. − M. : Energiya, 1979. − 88 s.
2. Peka, G. P. Fizika poverkhnosti poluprovodnikov / G. P. Peka. − Kiev : Naukova dumka, 1967.
3. Abrahams, M. S. / M. S. Abrahams, C. J. Buiocchi // Appl. Lett. − 1975. − V. 27, N 6. − P. 325.
4. Tikhov, S. V. / S. V. Tikhov, V. G. Shengurov, D. A. Pavlov // Vestn. Nizhegorodskogo un−ta. − 2010. − № 2. − S. 60—65.
5. Tikhov, S. V. / S. V. Tikhov // FTP. − 1995. − T. 29. − S. 742.
6. Zi, S. Fizika poluprovodnikovykh priborov / S. Zi. − M. : Mir, 1984. − 525 s.
7. Karpovich, I. A. / I. A. Karpovich, S. V. Tikhov, L. A. Istomin // Vestn. Nizhegorodskogo un−ta. − 2008. − № 1. − S. 25—29.
8. Roderik, E. K. Kontakty metall−poluprovodnik / E. K. Roderik. − M. : Radio i svyaz', 1982. − 208 s.
9. Zuev, V. A. Neravnovesnye pripoverkhnostnye protsessy v poluprovodnikakh i poluprovodnikovykh priborakh / V. A. Zuev, A. V. Sachenko, N. B. Tolpygo. − M., 1977.