ООО «Нитридные кристаллы»

А. А. Антипов, И. С. Бараш, Ю. Н. Макаров, Е. Н. Мохов, С. С. Нагалюк, А. Д. Роенков, Т. Ю. Чемекова, Х. Хелава

ФГАОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»

В. Т. Бублик, К. Д. Щербачев

ООО «Нитридные кристаллы», Академический университет Российской академии наук

С. Ю. Курин

Представлены результаты по созданию ультрафиолетовых светодиодов на основе гетероструктур GaN/AlGaN, выращенных на подложках AlN методом хлоридно−гидридной эпитаксии. Пиковые длины волн находятся в диапазоне 360—365 нм, ширина спектральной кривой составляет 10—13 нм, выходная оптическая мощность чипов светодиодов — 50 мВт при токе 350 мА.

Работа выполнена при частичной финансовой поддержке Министерства науки и образования Российской Федерации (государственный контракт от 16 ноября 2009 г. № 02.523.12.3028).
Рентгенодифрактометрические исследования выполнены на оборудовании ЦКП «Материаловедение и металлургия» НИТУ «МИСиС».

1. Макаров, Ю. Н. Подложка нитрида алюминия диаметром 2 дюйма для приборов оптоэлектроники / Ю. Н. Макаров // VIII Всеросс. конф. «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы». − СПб: ФТИ им. Иоффе, 2011. − С. 59—62.
2. Поляков, А. Я. Структурные и электрические свойства подложек AlN, используемых для выращивания светодиодных гетероструктур / А. Я. Поляков, Н. Б. Смирнов, А. В. Говорков, И. А. Белогорохов, К. Д. Щербачев, В. Т. Бублик, О. А. Авдеев, Т. Ю. Чемекова, Е. Н. Мохов, С. С. Нагалюк, Х. Хелава, Ю. Н. Макаров // Изв. вузов. Материалы электрон. техники. − 2010. − № 2. − С. 58—62.
3. New semiconductor materials. Characteristics and properties: http://www.ioffe.ru/SVA/NSM/rintroduction.html
4. Chemekova, T. Yu. Sublimation growth of 2−inch diameter bulk AlN crystals / T. Yu. Chemekova, O. V. Avdeev, I. S. Barash, E. N. Mokhov, S. S. Nagalyuk, A. D. Roenkov, A. S. Segal, Yu. N. Makarov, M. G. Ramm, G. Davis, G. Huminic, H. Helava // Phys. status solidi (c). − 2008. − V. 5, Iss. 6. − P. 1612—1614.
5. Makarov, Yu. N. Experimental and theoretical analysis of sublimation growth of AlN bulk crystals / Yu. N. Makarov, O. V. Avdeev, I. S. Barash, D. S. Bazarevskiy, T. Yu. Chemekova, E. N. Mokhov, S. S. Nagalyuk, A. D. Roenkov, A. S. Segal, Yu. A. Vodakov, M. G. Ramm, S. Davis, G. Huminic, H. Helava // J. Cryst. Growth. − 2008. − V. 310, N 5. − P. 881—886.
6. Курин, С. Ю. Получение AlGaN/GaN гетероструктур ультрафиолетовых светодиодов с длиной волны 360—365 нм методом хлоридно−гидридной эпитаксии / C. Ю. Курин, И. С. Бараш, А. Д. Роенков, М. Г. Агапов, А. А. Антипов, Т. Ю. Чемекова, Х. Хелава, Ю. Н. Макаров // VIII Всеросс. конф. «Нитриды галлия, индия и алюминия − структуры и приборы». − СПб : ФТИ им. Иоффе, 2011. − C. 180—181.
7. Bulashevich, K. A. Assessment of various LED structure designs for high−current operation / K. A. Bulashevich, M. S. Ramm, S. Yu. Karpov // Phys. status solidi (c). − 2009. − V. 6, Iss. 2. − P. S804—S806.
8. Usikov, A. Electrical and optical properties of thick highly doped p−type GaN layers grown by HVPE / A. Usikov, O. Kovalenkov, V. Soukhoveev, V. Ivantsov, A. Syrkin, V. Dmitriev, A. Yu. Nikiforov, S. G. Sundaresan, S. J. Jeliazkov, A. V. Davydov // Ibid. − 2008. − V. 5, Iss. 6. − P. 1829—1831.
9. Булашевич, К. А. Моделирование оптоэлектронных приборов на основе нитридов III группы / К. А. Булашевич, С. Ю. Карпов, В. Ф. Мымрин // VI Межд. конф. «Химия твердого тела и современные микро− и нанотехнологии». − Кисловодск; Ставрополь : СевКавГТУ, 2006. − С. 510.