Nitride Crystals JSC

A. A. Antipov, I. S. Barash, Yu. N. Makarov, E. N. Mokhov, S. S. Nagalyuk, A. D. Roenkov, T. Yu. Chemekova, H. Helava

National University of Science and Technology MISiS

V. T. Bublik, K. D. Scherbachev

Nitride Crystals JSC, Academic University of the Russian Academy of Sciences

S. Yu. Kurin

The paper presents results of the development of ultraviolet light−emitting diodes based on GaN/AlGaN heterostructures grown on AlN substrates by chloride−hydride vapor phase epitaxy. The peak wavelengths are in the range of 360—365 nm with a spectral width of 10—13 nm; the output optical power of LED dies is 50 mW at 350 mA.

1. Makarov, Yu. N. Podlozhka nitrida alyuminiya diametrom 2 dyuyma dlya priborov optoelektroniki / Yu. N. Makarov // VIII Vseross. konf. «Nitridy galliya, indiya i alyuminiya – struktury i pribory». − SPb: FTI im. Ioffe, 2011. − S. 59—62.
2. Polyakov, A. Ya. Strukturnye i elektricheskie svoystva podlozhek AlN, ispol'zuemykh dlya vyrashchivaniya svetodiodnykh geterostruktur / A. Ya. Polyakov, N. B. Smirnov, A. V. Govorkov, I. A. Belogorokhov, K. D. Shcherbachev, V. T. Bublik, O. A. Avdeev, T. Yu. Chemekova, E. N. Mokhov, S. S. Nagalyuk, Kh. Khelava, Yu. N. Makarov // Izv. vuzov. Materialy elektron. tekhniki. − 2010. − № 2. − S. 58—62.
3. New semiconductor materials. Characteristics and properties: http://www.ioffe.ru/SVA/NSM/rintroduction.html
4. Chemekova, T. Yu. Sublimation growth of 2−inch diameter bulk AlN crystals / T. Yu. Chemekova, O. V. Avdeev, I. S. Barash, E. N. Mokhov, S. S. Nagalyuk, A. D. Roenkov, A. S. Segal, Yu. N. Makarov, M. G. Ramm, G. Davis, G. Huminic, H. Helava // Phys. status solidi (c). − 2008. − V. 5, Iss. 6. − P. 1612—1614.
5. Makarov, Yu. N. Experimental and theoretical analysis of sublimation growth of AlN bulk crystals / Yu. N. Makarov, O. V. Avdeev, I. S. Barash, D. S. Bazarevskiy, T. Yu. Chemekova, E. N. Mokhov, S. S. Nagalyuk, A. D. Roenkov, A. S. Segal, Yu. A. Vodakov, M. G. Ramm, S. Davis, G. Huminic, H. Helava // J. Cryst. Growth. − 2008. − V. 310, N 5. − P. 881—886.
6. Kurin, S. Yu. Poluchenie AlGaN/GaN geterostruktur ul'trafioletovykh svetodiodov s dlinoy volny 360—365 nm metodom khloridno−gidridnoy epitaksii / C. Yu. Kurin, I. S. Barash, A. D. Roenkov, M. G. Agapov, A. A. Antipov, T. Yu. Chemekova, Kh. Khelava, Yu. N. Makarov // VIII Vseross. konf. «Nitridy galliya, indiya i alyuminiya − struktury i pribory». − SPb : FTI im. Ioffe, 2011. − C. 180—181.
7. Bulashevich, K. A. Assessment of various LED structure designs for high−current operation / K. A. Bulashevich, M. S. Ramm, S. Yu. Karpov // Phys. status solidi (c). − 2009. − V. 6, Iss. 2. − P. S804—S806.
8. Usikov, A. Electrical and optical properties of thick highly doped p−type GaN layers grown by HVPE / A. Usikov, O. Kovalenkov, V. Soukhoveev, V. Ivantsov, A. Syrkin, V. Dmitriev, A. Yu. Nikiforov, S. G. Sundaresan, S. J. Jeliazkov, A. V. Davydov // Ibid. − 2008. − V. 5, Iss. 6. − P. 1829—1831.
9. Bulashevich, K. A. Modelirovanie optoelektronnykh priborov na osnove nitridov III gruppy / K. A. Bulashevich, S. Yu. Karpov, V. F. Mymrin // VI Mezhd. konf. «Khimiya tverdogo tela i sovremennye mikro− i nanotekhnologii». − Kislovodsk; Stavropol' : SevKavGTU, 2006. − S. 510.