IFYAE NIYAU MIFI:

K. D. Vaniukhin

L. A. Seidman

National University of Science and Technology MISiS:

S. P. Kobeleva

FGUP NPP Pulsar:

Yu. A. Konzcevoy
V. A. Kurmatshev

Ti, Al, Ni, Cr and Au metal films have been deposited onto silicon (100) n−type 100 mm substrates by thermal evaporation technique. The film thickness and sheet resistance distributions have been measured. We show that the increase in the sheet resistance towards the substrate edge occurs due to both a decrease in the film thickness and an increase in the metal resistivity.

1. Kuey, R. Elektronika na osnove nitrida galliya / R. Kuey. − M. : Tekhnosfera, 2011. − 592 s.
2. Vasil'ev, A. G. SVCh−pribory i ustroystva na shirokozonnykh poluprovodnikakh / A. G. Vasil'ev, Yu. V. Kolkovskiy, Yu. A. Kontsevoy − M. : Tekhnosfera, 2011. − 416 s.
3. Vasil'ev, A. G. SVCh−tranzistory na shirokozonnykh poluprovodnikakh : ucheb. posobie / A. G. Vasil'ev, Yu. V. Kolkovskiy, Yu. A. Kontsevoy − M. : Tekhnosfera, 2011. − 256 s.
4. Kobeleva, S. P. Metody izmereniya elektrofizicheskikh parametrov monokristallicheskogo kremniya / S. P. Kobeleva // Zavodskaya laboratoriya. − 2007. − № 1. − S. 60—67.
5. Fizicheskie velichiny : spravochnik / Pod. red. I. S. Grigor'eva, E. Z. Meylikhova. − M. : Energoatomizdat, 1991. − 1232 s.
6. Tekhnologiya tonkikh plenok : spravochnik / pod red. L. Mayssela, R. Glenga. − M. : Sovetskoe radio, 1977. − T. 2. − 662 s.