Baku State University, Azerbaijan Republic:

I. G. Pashayev

We have investigated the fabrication of Au_xTi_100−x—nSi (where x is 10; 36; 87) and PbxSb_100−x—nSi (where x = 52; 70; 87) Schottky diodes and the electrical properties of Au_xTi_100−x—nSi (where x = 10; 36; 87) and PbxSb_100−x—nSi (where x = 52; 70; 87)Schottky diodes. The Au₃₆Ti₆₄, Pb₅₂Sb₄₈ alloy film has an amorphous structure, while the other films are polycrystalline. We have determined Schottky barrier height depending on the composition and structure of the metal films and found that the barrier height is quite sensitive to the composition of the metal alloy. We show that the electrical properties of the Au_xTi_100−x—nS and Pb_xSb_100−x—nSi Schottky diodes depend on the composition and structure of the metal films.

1. Kung, K. T. Y. Elektrikal charakteristics of amorphorus molyubdenum−nickel contacts to Si / K. T. Y. Kung, I. Suni, M. A. Nikolet // J. Appl. Phys. − 1984. − V. 55, N 10. − P. 3882—3884.
2. Pashaev, I. G. Vliyanie razlichnykh obrabotok na svoystva diodov Shottki / I. G. Pashaev // FTP. − 2012. − T. 46, vyp. 8. − S. 1108—1110.
3. Wickenden, D. K. Amorphous metal−semiconductor contacts for high temperature electronics−II / D. K. Wickenden, M. J. Sisson // Solid state electron. − 1984. − V. 27, N 6. − P. 515—518.
4. Krylov, P. N. Vliyanie termopolevoy ionizatsii na formirovanie bar'era Shotki metall—<amorfnyy kremniy> / P. N. Krylov // FTP. − 2000. − T. 34, vyp. 3. − S. 306—309.

5. Pashaev, I. G. ElektronysikalL properties of schottky diodes made on the basis of silikon wtth amorphous and polycrystaline metal alloy at low direct voltage / I. G. Pashaev // Internat. J. Technical and Physical Problems of Engineering. − 2012. − Iss. 10. − V. 4, N 1. − P. 41—44.
6. Valiev, K. A. Primenenie kontakta metall—polu provodnik v elektronike / K. A. Valiev, Yu. I. Pashintsev, G. V. Petrov − M. : Sovetskoe radio, 1981. − 364 s.
7. Kritskaya, T. V. Vliyanie razlichnykh obrabotok na svoystva kontakta kremniy − amorfnyy metallicheskiy splav / T. V. Kritskaya, I. G. Pashaev, I. A. Abuzerov // VI Mezhdunar. nauchn.−prakt. konf. «Sovremennye problemy i dostizheniya v oblasti radiotekhniki, telekommunikatsiy i informatsionnykh tekhnologiy». − Zaporozh'e, 2012. − S. 332—333.
8. Askerov, Sh. G. Vliyanie tolshiny metallicheskikh plenok na svoystva diodov Shotki / Sh. G. Askerov, I. G. Pashaev, Sh. S. Aslanov, E. G. Shaulova // Elektronnaya tekhnika. Ser.10. Mikroelektronnye ustroystva. − 1986. − Vyp. 1. − S. 74—76.
9. Banderenko, V. B. Estestvennye neodnorodnosti vysoty bar'era Shotki / V. B. Banderenko, Yu. A. Kudinov, S. G. Ershov, V. V. Korablev // FTP. − 1998. − T. 32, № 5. − S. 554—556.
10. Tez. dokl. 1−y i 2−y Vsesoyuz. konf. «Fizicheskie osnovy nadezhnosti i degradatsii poluprovodnikovykh priborov». − Kishinev, 1982. − Ch. 1 i 2. : 1986. − S. 141—165.
11. Askerov, Sh. G. Vliyanie mikrostruktury poverkhnosti metalla na omicheskie svoystva kontakta metall−poluprovodnik / Sh. G. Askerov // PZhTF. − 1977. − T. 3, № 18. − S. 968—970.
12. Torkhov, N. A. Priroda pryamykh i obratnykh tokov nasyshcheniya v kontaktakh metall−poluprovodnik s bar'erom Shotki / N. A. Torkhov // FTP. − 2010. − T. 44, № 6. − S. 767—774.
13. Abdulaev, G. B. Nekotorye voprosy fiziki elektronno−dyrochnykh perekhodov / G. B. Abdulaev, Z. A. Iskenderzade − Baku: Elm, 1971. − S. 114.
14. Sudzuki, K. Amorfnye metally / K. Sudzuki, Kh. Fudzumori, K. Khasimov − M. : Metallurgiya, 1987. − S. 328.
15. Gin'e, A. Rentgenografiya kristallov / A. Gin'e − M., 1963. − S. 600.