Journals →
Materialy Elektronnoi Tekhniki →
2010 →
#3 →
Back
Back
| Materials science and technology. Semiconductors | |
| ArticleName | Czochralsky Growth of Profile Silicon Single Crystal |
| ArticleAuthor | S. N. Chigir, T. T. Kondratenko, I. V. Silaev, L. V. Kozhitov, A. P. Bliev, N. I. Kazimirov, S. L. Sorokin |
| ArticleAuthorData | S. N. Chigir, National Research University «MISiS»; T. T. Kondratenko, L. V. Kozhitov, (North–Ossetian National University Hetagurov name, Vladikavkaz); I. V. Silaev, e-mail: phys@nosu.ru, A. P. Bliev, e-mail: bliev@mail.ru, (Institute for Problems of Mechanics); N. I. Kazimirov, S. L. Sorokin, (OAO «Podolsk chemistry–metallurgical manufactory»). |
| Abstract | The heat conditions of tube profile silicon single crystal grown by the Czochralsky method and their influence on crystal parameters are studied. The profile single crystal samples suitable for manufacturing new generation high-current semiconductor devices are obtained. |
| keywords | Czochralsky method, silicon, single crystal, dislocation density. |
| References | 1. Grehov, I. V. Kremnievaja silovaja jelektronika: sostojanie i perspektivy razvitija / I. V. Grehov // Izv. vuzov. Material jelektron. tehniki. - 2000. - N 4. - P. 9—15. 2. Agalarzade, P. S. Osnovy konstruirovanija i tehnologii obrabotki poverhnosti p—n-perehoda / P. S. Agalarzade, A. I. Petrin, S. O. Izitdinov - M. : Sov. radio, 1978. - 224 p. 3. A. s. SSSR N 1207345. kl HAL 29/06, 1985 Poluprovodnikovyj pribor / A. F. Monahov, A. A. Evseev // Published 10.06.97. Bulletin 16. 4. Kozhitov, L. V. Pribory i tehnologija na osnove neplanarnogo kremnija / L. V. Kozhitov, T. T. Kondratenko, V. V. Krapuhin, T. Ja. Kondratenko // Novye materialy. - M. : MISiS, 2002. - P. 157—184. 5. Chigir, C. N. Issledovanie teplovogo polja processa rosta profil'nogo monokristalla kremnija na osnove soprjazhennoj matematicheskoj modeli / C. N. Chigir, L. V. Kozhitov, T. T. Kondratenko, V. V. Krapuhin // Collection of works IV Rossijsko-Japonskogo seminara «Perspektivnye tehnologii i oborudovanie dlja materialovedenija mikro i nanojelektroniki» - Astrahan' : AGU, 2000. - P. 300—310. 6. Berdnikov, V. S. Modelirovanie gidrodinamiki rasplava pri vytjagivanii kristallov s konicheskim frontom i kol'cevogo sechenija. / V. S. Berdnikov, V. L. Borisov, V. A. Markov, V. I. Panchenko // Teplofizika kristallizacii vewestv i materialov. - Novosibirsk, 1987. - p. 16—33. 7. Verezub, N. A. / N. A. Verezub, A. I. Prostomolotov // Izv. vuzov. Materialy jelektron. tehniki. - 2000. - N3. - P. 28—34. 8. Boujen, B. K. Vysokorazreshajuwaja rentgenovskaja difraktometrija i topografija / B. K. Boujen, D. K. Tanner - SPb. : Nauka, 2002. |
| Language of full-text | russian |
| Full content | Buy |
