Materials science and technology. Semiconductors
Название
Czochralsky Growth of Profile Silicon Single Crystal
Авторы
S. N. Chigir, T. T. Kondratenko, I. V. Silaev, L. V. Kozhitov, A. P. Bliev, N. I. Kazimirov, S. L. Sorokin
Информация об авторах
S. N. Chigir, National Research University «MISiS»; T. T. Kondratenko, L. V. Kozhitov, (North–Ossetian National University Hetagurov name, Vladikavkaz); I. V. Silaev, e-mail: phys@nosu.ru, A. P. Bliev, e-mail: bliev@mail.ru, (Institute for Problems of Mechanics); N. I. Kazimirov, S. L. Sorokin, (OAO «Podolsk chemistry–metallurgical manufactory»).
Реферат
The heat conditions of tube profile silicon single crystal grown by the Czochralsky method and their influence on crystal parameters are studied. The profile single crystal samples suitable for manufacturing new generation high-current semiconductor devices are obtained.
Ключевые слова
Czochralsky method, silicon, single crystal, dislocation density.
Библиографический список
1. Grehov, I. V. Kremnievaja silovaja jelektronika: sostojanie i perspektivy razvitija / I. V. Grehov // Izv. vuzov. Material jelektron. tehniki. - 2000. - N 4. - P. 9—15.
2. Agalarzade, P. S. Osnovy konstruirovanija i tehnologii obrabotki poverhnosti p—n-perehoda / P. S. Agalarzade, A. I. Petrin, S. O. Izitdinov - M. : Sov. radio, 1978. - 224 p.
3. A. s. SSSR N 1207345. kl HAL 29/06, 1985 Poluprovodnikovyj pribor / A. F. Monahov, A. A. Evseev // Published 10.06.97. Bulletin 16.
4. Kozhitov, L. V. Pribory i tehnologija na osnove neplanarnogo kremnija / L. V. Kozhitov, T. T. Kondratenko, V. V. Krapuhin, T. Ja. Kondratenko // Novye materialy. - M. : MISiS, 2002. - P. 157—184.
5. Chigir, C. N. Issledovanie teplovogo polja processa rosta profil'nogo monokristalla kremnija na osnove soprjazhennoj matematicheskoj modeli / C. N. Chigir, L. V. Kozhitov, T. T. Kondratenko, V. V. Krapuhin // Collection of works IV Rossijsko-Japonskogo seminara «Perspektivnye tehnologii i oborudovanie dlja materialovedenija mikro i nanojelektroniki» - Astrahan' : AGU, 2000. - P. 300—310.
6. Berdnikov, V. S. Modelirovanie gidrodinamiki rasplava pri vytjagivanii kristallov s konicheskim frontom i kol'cevogo sechenija. / V. S. Berdnikov, V. L. Borisov, V. A. Markov, V. I. Panchenko // Teplofizika kristallizacii vewestv i materialov. - Novosibirsk, 1987. - p. 16—33.
7. Verezub, N. A. / N. A. Verezub, A. I. Prostomolotov // Izv. vuzov. Materialy jelektron. tehniki. - 2000. - N3. - P. 28—34.
8. Boujen, B. K. Vysokorazreshajuwaja rentgenovskaja difraktometrija i topografija / B. K. Boujen, D. K. Tanner - SPb. : Nauka, 2002.
2. Agalarzade, P. S. Osnovy konstruirovanija i tehnologii obrabotki poverhnosti p—n-perehoda / P. S. Agalarzade, A. I. Petrin, S. O. Izitdinov - M. : Sov. radio, 1978. - 224 p.
3. A. s. SSSR N 1207345. kl HAL 29/06, 1985 Poluprovodnikovyj pribor / A. F. Monahov, A. A. Evseev // Published 10.06.97. Bulletin 16.
4. Kozhitov, L. V. Pribory i tehnologija na osnove neplanarnogo kremnija / L. V. Kozhitov, T. T. Kondratenko, V. V. Krapuhin, T. Ja. Kondratenko // Novye materialy. - M. : MISiS, 2002. - P. 157—184.
5. Chigir, C. N. Issledovanie teplovogo polja processa rosta profil'nogo monokristalla kremnija na osnove soprjazhennoj matematicheskoj modeli / C. N. Chigir, L. V. Kozhitov, T. T. Kondratenko, V. V. Krapuhin // Collection of works IV Rossijsko-Japonskogo seminara «Perspektivnye tehnologii i oborudovanie dlja materialovedenija mikro i nanojelektroniki» - Astrahan' : AGU, 2000. - P. 300—310.
6. Berdnikov, V. S. Modelirovanie gidrodinamiki rasplava pri vytjagivanii kristallov s konicheskim frontom i kol'cevogo sechenija. / V. S. Berdnikov, V. L. Borisov, V. A. Markov, V. I. Panchenko // Teplofizika kristallizacii vewestv i materialov. - Novosibirsk, 1987. - p. 16—33.
7. Verezub, N. A. / N. A. Verezub, A. I. Prostomolotov // Izv. vuzov. Materialy jelektron. tehniki. - 2000. - N3. - P. 28—34.
8. Boujen, B. K. Vysokorazreshajuwaja rentgenovskaja difraktometrija i topografija / B. K. Boujen, D. K. Tanner - SPb. : Nauka, 2002.
Language of full-text
русский
Полный текст статьи